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[VASP] EDIFFG增大后,吸附构型严重改变

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我是用VASP做的一个团簇结构吸附C2H2分子的计算,计算中逐步提高EDIFFG的精度从0.5-0.2-0.05-0.03,前三个精度是吸附构型基本一致如图一,从0.05增大到0.03时吸附构型严重变化变成图2,而且二者吸附能量相差也特别大



图1


图2



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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-7-13 12:10:05 | 只看该作者 Only view this author
我的INCAR和KPOINTS


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发表于 Post on 2016-7-14 13:48:40 | 只看该作者 Only view this author
加上范德瓦耳斯力或溶剂效应试试~

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-7-14 17:22:20 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 灰飞的旋律 于 2016-7-14 17:25 编辑
BCC-vasp 发表于 2016-7-14 13:48
加上范德瓦耳斯力或溶剂效应试试~

恩,我是试试加上VDW,反应体系不是溶剂条件。那吸附之前的反应物构型优化要不要也加上VDW呢,我觉得加上后影响应该不太大吧??

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发表于 Post on 2016-7-14 19:07:21 | 只看该作者 Only view this author
灰飞的旋律 发表于 2016-7-14 17:22
恩,我是试试加上VDW,反应体系不是溶剂条件。那吸附之前的反应物构型优化要不要也加上VDW呢,我觉得加上 ...

1、从最后结果上看,吸附的分子可能涉及到vdW作用的问题,色散修正应该要加上,吸附前的分子相应也要加上;
2、力的收敛标准都提高了,截断能和能量的收敛就不打算提升一下吗?SCF的收敛标准是1E-4,离子弛豫的力反而设置3E-2,我觉得很难得到正确结果,如这个帖子http://bbs.keinsci.com/forum.php ... ;highlight=gaussian的这句话
A related common mistake is to use "SCF(Conver=5)" or lower as the result will be unreliable. In fact, it could lead to failure in convergence for geometry optimization as the gradient approaches 0 near stationary points so you need a reasonable accuracy. There are several thresholds used in the geometry optimization and simply lowering the SCF convergence threshold makes it impossible to meet other convergence criteria. The default optimization convergence criteria for gradient is on the order of 10^(-4). However, when SCF energy is converged to 10^(-5), the gradient is only good to 10^(-3) or lower, which is above the optimization convergence threshold, so it cannot converge. Even if it converges, the result is unreliable and should be avoided in production runs.
(注:Gaussian用的单位是a.u.,vasp用的是eV)
3、我仍旧建议截断能的选择最好测试到force能够收敛到预设的收敛标准范围之内,虽然我不知道vasp有什么好办法能够自洽之后输出force。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-7-15 11:01:19 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 灰飞的旋律 于 2016-7-15 16:49 编辑
卡开发发 发表于 2016-7-14 19:07
1、从最后结果上看,吸附的分子可能涉及到vdW作用的问题,色散修正应该要加上,吸附前的分子相应也要加上 ...

谢谢您的回答,之前我在高斯上也算过这个体系,也考虑了色散校正DFT-D3,C2H2有两种吸附构型,一种是一个C参与成键,吸附能为正,如图3;
另一种是两个C参与成键,吸附能为负,如图4,且该用VASP计算时也得到过该吸附构型,吸附能VASP比高斯(B3LYP-D3/6-31G**)算出来的大3kcal。


我添加VDW校正的计算结果出来了,INCAR加上LVDW=.TRUE.(其他VDW相关参数默认)后,C2H2的能量变化不太大,吸附物的能量降低了1eV。而且,我分别对EDIFFG=-0.05时的构型重新计算,并在优化基础上增大EDIFFG到-0.03,所得到的构型在两次精度下基本一致如图5,且吸附能只有-1kcal。
图5



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发表于 Post on 2016-7-15 18:13:22 | 只看该作者 Only view this author
灰飞的旋律 发表于 2016-7-15 11:01
谢谢您的回答,之前我在高斯上也算过这个体系,也考虑了色散校正DFT-D3,C2H2有两种吸附构型,一种是一个 ...

1、杂化泛函和纯泛函结果本来就稍有差异,PAW方法和全电子方法也略有差异,虽然原则立场应当相同;
2、还是上次的问题,截断能是否经过测试,未经过测试的截断能给出的结果还是值得怀疑的。
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