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本帖最后由 乐平 于 2023-7-2 21:05 编辑
提问的时候能不能把你要问的内容想清楚,思路整理通顺,在发表之前读至少两遍,问一下自己说清楚没有之后再发表?
你这样没头没尾地一句,谁能看懂说的是什么?
从你截图的内容看,应该是博文 http://sobereva.com/434 的图,位于到此,对NH2-biphenyl-NO2这个体系的S0->S1激发的空穴-电子框架中的各种分析已经完整做了一遍。如果想再分析其它激发态,通过选项0退回到主功能18的菜单中,再次进入空穴-电子分析功能,然后选择相应激发态即可。这里我们把这个体系所有算出来的5个激发态的D、Sr、H、t指数以及空穴-电子库仑吸引能放在一起对照。之前还没讨论过的空穴离域指数(HDI)和电子离域指数(EDI)也一并给出了:
上述引用文字的下方就是你的截图。
如果你想问的是这个截图表格里的数据是如何获得的,那么,你可以根据博文 http://sobereva.com/434 里的 4 空穴-电子分析实例,从头到位做一遍,就可以得到表格第一行数据(S0 —> S1)的结果。
后面各列的 S0 —> S2,S0 —> S3,S0 —> S4,S0 —> S5 需要重复上述操作,只不过在
- D-pi-A.fchk //首先载入含有参考态波函数信息的文件
- 18 //电子激发分析
- 1 //空穴-电子分析
- D-pi-A.out //Gaussian输出文件,里面含有空穴-电子分析需要的组态系数信息
- 1 //首先我们分析基态(S0)到第1激发态(S1)的电子激发特征
复制代码
上述贴出来的最后一步改成 2, 3, 4, 5 来分别分析S0 —> S2,S0 —> S3,S0 —> S4,S0 —> S5
阅读的时候仔细一点,同时动手操作,再思考一下,应该不难。 |
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