关于TS校正和Grimme校正在算色散作用能量时的疑问

卡开发发

jiewei 发表于 2014-12-19 10:47
哈哈，你和MS代理商的技术人员给的意见恰恰想反，他们建议是c方向上要加上k点。
DNP4的测试非常重要。非 ...

石墨烯的话应该没啥争议才是啊，因为考虑的就是表面的计算，如果你算的是石墨的话就要考虑加上k了，难道你做的是石墨夹层？

我指的是4.4的基组。实际上DMol3还有3.8和4.0.0的基组，这个基组的性能我没做过测试，据说4.0.0主要是结合vwn-bp做溶剂化的计算的，究竟能有多好还得详细做测试，如果算Raman就不得不采用4.4的基组了。

DMol3的赝势比起SIESTA的赝势好很多，尤其是采用PBE泛函的时候。但是基组就不如SIESTA那样定义起来比较灵活了。

沙场新兵001

jiewei 发表于 2014-12-4 13:02
感谢，昨天我搜索了一堆文献，看了看，发现SIETSA好像就是用的D2，今天专业人士来解答，非常感谢。
我用 ...

其实我觉得不能只看几个不同软件计算出来的结果来相互比较，比如VASP和DMOL3相比较的话，所设置的参数的内容是不一样的，并且不同软件的算法近似是不一样的，dmol相对来说要粗糙一些，并且你在做A吸附到B上的时候，适合A的计算参数在计算B时可能就不会那么准确，对不同性质的材料来说不同的软件算出来的结果肯定是有差异的。

卡开发发

沙场新兵001 发表于 2015-1-8 14:23
其实我觉得不能只看几个不同软件计算出来的结果来相互比较，比如VASP和DMOL3相比较的话，所设置的参数的 ...

不同程序结果是会有些差异，但一般写程序只要保证的就是再现性，至少是半定量的，并且有人做了对比https://molmod.ugent.be/deltacodesdft 。虽然由于不同的计算、数值方法（非理论级别）会有些小的差异，比如LCAO和平面波、赝势或PAW等差异，但这些误差原则上不应该出现剧烈的差异。尤其是商业程序，这个问题原则上是要保证的。保证了半定量的差异的前提下，不同计算方法就仁者见仁智者见智了，对于k不太密集的体系LCAO方法显然非常有优势。

我不知道“DMol3是粗糙的”这个定论怎么来的（虽然几年前我曾这么认为过，因为那时候我也只会调调界面上那几个参数，我不知道这能不能算是偏见，我那时候就有些偏见），这个想法太过武断，算得快不一定精度差。A吸附到B上的时候，单独计算A和B两者本来选用的参数就有差异，无论VASP还是WIEN2K都不能避免，绝大多数情况下，A单独处理面临的结果必然是大的格子以及Gamma-k，显然很多时候难保障和A-B的体系一致。同时，大量的隐藏参数在Keywords中都有说明，到底怎么计算更精确不仅仅只是程序本身，还有操作者决定（如收敛标准、稀疏矩阵等）。

目前，DMol3是有些不足的地方，因为商业化不公开源代码导致一些功能比较受限也没办法修改，比如波函数文件是不开放的，从而没法做ELF（但grd开放，可以分析AIM）。

所以，如果您真的认为那个程序不准确建议从每一步的模拟过程和计算精度仔细验证之后再下定论也不迟，当然，我们清楚地了解计算中的近似就可以避开这些“不准”（如DMol3取得是外推能量的话，展宽就不能设定的过大）。