VASP表面吸附计算中的几个细节问题

NiceFuture · 发表于 Post on 2022-3-2 12:45:03

卡开发发发表于 2022-3-2 12:04
切面的时候调整厚度(thickness)下面有个调整终端(top)的选项能够满足你想调整的暴露面，你要是直接删也可 ...

谢谢前辈！我还以为只能严格按照通过调节thickness和top来切表面呢

卡开发发 · 发表于 Post on 2022-3-2 18:50:25

NiceFuture 发表于 2022-3-2 12:45
谢谢前辈！我还以为只能严格按照通过调节thickness和top来切表面呢

top可以改，然后需要你研究的问题去调整，thickness也是一样，但更多情况采用的是整数来满足计量问题。

lycheeho · 发表于 Post on 2023-9-12 16:12:30

卡开发发发表于 2022-3-2 12:04
切面的时候调整厚度(thickness)下面有个调整终端(top)的选项能够满足你想调整的暴露面，你要是直接删也可 ...

你好，我想在表面找到分子的优势吸附位点，那样只要比较不同吸附位点时分子与基底共同优化的终态能量就可以吧？因为如果算吸附能的话，减去优化好的分子与基底能量是一样的，反而多此一举？

PoorChaos · 发表于 Post on 2023-9-14 15:49:43

lycheeho 发表于 2023-9-12 16:12
你好，我想在表面找到分子的优势吸附位点，那样只要比较不同吸附位点时分子与基底共同优化的终态能量就可 ...

学到了

yanleshan · 发表于 Post on 2024-7-9 09:55:20

请问各位老哥，对于优化好结构的slab，固定/非固定底层slab原子，对SCF计算总能是不是没有影响

yanleshan · 发表于 Post on 2024-7-9 19:56:05

yanleshan 发表于 2024-7-9 09:55
请问各位老哥，对于优化好结构的slab，固定/非固定底层slab原子，对SCF计算总能是不是没有影响

自问自答一波，无影响

一条君 · 发表于 Post on 2025-5-16 11:19:11

卡开发发发表于 2016-8-7 23:04
1、没必要，优化分子采用的格子应该要类似于处理真空层那样测试到能量收敛，当然，需要三个方向都进行偶极 ...

老师，因为前面有说到孤立分子可以三个方向都进行校正，那第三点【如果要研究孤立的分子，也得外推表面的大小，必要的话还得消除xy方向上的偶极】消除xy方向指的是？包含晶面的非孤立情况吗，谢谢

卡开发发 · 发表于 Post on 2025-5-16 11:58:05

一条君发表于 2025-5-16 11:19
老师，因为前面有说到孤立分子可以三个方向都进行校正，那第三点【如果要研究孤立的分子，也得外推表面的 ...

对于孤立分子，消除偶极的基础上要做体积测试，因为多极-多极作用还是存在的，不过（如果你清楚公式形式的话）它们收敛很快。后面那个指的是孤立分子吸附，即Langmuir型吸附，吸附分子之间相对独立的情况，此时没办法通过修正边界来实现，只能测试甚至是外推。

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