Gaussian计算二硫化钼团簇吸附SCF不收敛

Yaohaohao · 发表于 Post on 2023-10-10 15:11:33

本帖最后由 Yaohaohao 于 2023-10-10 15:35 编辑

老师们好，我想要做二硫化钼对超氧阴离子的吸附。由于vasp对于带电体系能量计算不准确，所以构建了二硫化钼团簇准备使用高斯进行计算，阅读了团簇吸附的那篇博文（使用量子化学程序基于簇模型计算金属表面吸附问题 - 思想家公社的门口：量子化学·分子模拟·二次元 (sobereva.com)），对边缘的钼和硫都进行了加氢处理，然后添加超氧阴离子在表面，设置的整体净电荷是-1，自旋多重度是2。但是计算的时候发现，可能由于体系电子数过大，scf不收敛，尝试了博文中的一些办法（解决SCF不收敛问题的方法 - 思想家公社的门口：量子化学·分子模拟·二次元 (sobereva.com)），目前还没有解决。请问各位老师，我这么进行计算是否合理（是否需要加氢饱和），可以采用哪些方法解决scf不收敛？

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wzkchem5 · 发表于 Post on 2023-10-10 16:31:27

建议查一下文献里MoS2边界一般都是怎么饱和断键的。金属一般不建议加氢饱和（因为Mo-H键和Mo-S键差别很大），一般建议在切团簇的时候使得边界全都是硫原子，再用氢饱和硫。此外即使是饱和硫原子也有问题，我觉得你氢加多了，比如应该不会有哪个硫原子需要加两个氢。并不是每切断一根键都要补一个氢，有时候切断两根键才补一个氢，这个要通过数电子判断

sobereva · 发表于 Post on 2023-10-10 18:00:06

这种体系用CP2K算，PSOLVER MT结合XY二维周期性，算吸附没有问题

Yaohaohao · 发表于 Post on 2023-10-10 19:20:25

wzkchem5 发表于 2023-10-10 16:31
建议查一下文献里MoS2边界一般都是怎么饱和断键的。金属一般不建议加氢饱和（因为Mo-H键和Mo-S键差别很大） ...

谢谢老师，我重新弄一下构型试试

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