O2在模型表面的初始结构经过VASP优化后O2分子解离，是解离吸附吗？

wangyuxiao

把O2分子放在ZnS(110)表面,初始模型为第一张图，经过vasp优化后的结构为第二张图。想请教一下大家，还需要计算一步O2分子解离成两个O原子的解离能垒吗？还是说这种情况属于解离吸附，不需要解离能垒？

pal

大概率一开始靠太近了

wangyuxiao

pal 发表于 2023-11-10 10:50
大概率一开始靠太近了

如果远一点的话，Zn-S在1.74左右，O2分子优化完成后，远离表面。我计算的是反应路径，如果O2不能吸附在表面后续的反应也就无法进行了。我之前看过一个贴子上说，放置的距离在两个原子半径之和的±0.3左右好像，不知道我这样放，会不会被审稿人质疑？

zjxitcc

我想提醒一下，O2基态是三重态（标号T0），需要用三重态UKS（也称三重态UDFT）来描述。O2的第一激发态是单重态（标号S1，具有极强双自由基特征），需要用自旋极化UKS（也称 对称破缺UDFT）来描述，使用闭壳层RKS（也称RDFT）描述是定性错误的。如果你知道并且在计算中仔细检查/考虑了，恭喜你。

之所以想提醒是因为（直接开喷：）我发现很多搞材料计算的（不管用VASP/QE/CP2K）缺乏UDFT计算基本常识，缺乏对O2电子态的基本理解，在poster或一场报告下来压根不知道自己算的是什么O2、不知道实验条件下是什么O2，还谬称与实验数据对照，完全是用国家经费做无效碳排放。很多审稿人也不懂，不加以询问就让文章过了。

wangyuxiao

zjxitcc 发表于 2023-11-10 12:24
我想提醒一下，O2基态是三重态（标号T0），需要用三重态UKS（也称三重态UDFT）来描述。O2的第一激发态是单 ...

谢谢老师非常专业的回答。由于我自己对这些专业知识的缺乏，我不知道我自己在计算的过程中是否按照老师所说的计算的。我用vasp软件计算的，在计算的过程中打开了自旋极化，使用的是PBE泛函。下面是我计算用的INCAR文件的参数。再次非常感谢老师的专业有耐心的回复。希望老师能再指点一下。
INCAR-basic
   PREC   = Normal
   ENCUT  = 500 eV
   NELMIN= 5
   LREAL = A   ## set to Auto if the atomic number > 20

   ALGO = 38
   EDIFF  = 1E-5
   ISMEAR = 0
   SIGMA = 0.05

#   LDAU=.TRUE.  ## For LDA + U set
#   LDAUTYPE=2
#   LDAUL=2 -1
#   LDAUU=3  0
#   LDAUJ=0  0

   ISPIN = 2    ## For magnetism set
#  MAGMOM = 3*1
   NCORE = 4     ## Important to reduce calculate time, equal sqrt(cpu cores)

Ionic Relaxation
   ICHARG = 2
   EDIFFG = -0.03        #force
   NSW    = 300          #max steps for IOM
   IBRION = 2
   POTIM = 0.5
   ISIF   = 2            #suface:2 crystal:3
   PSTRESS= 0
   LCHARG = .FALSE.
   LWAVE  =  F