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[VASP] 求助:频率计算H2S分子出现三个虚频需要继续优化吗?

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各位老师好,我在学习用VASP计算频率的时候尝试使用H2S分子进行计算
结构优化收敛设置EDIFF=1E-8,EDIFFG=-0.0005。INCAR文件如下图:

收敛后受力情况如下图:

频率计算只注释掉了NCORE(会报错)并修改了三个参数:
IBRION =  6
NFREE = 2
POTIM = 0.015
得到的结果为:

请问这种下的H2S分子可以认为优化好了吗?还是说要消去3个虚频或者将虚频降低到50cm-1以下?
我试过增加精度到EDIFF=1E-8,EDIFFG=-0.0001,结果结构优化就直接炸掉了。受力全是NaN

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