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[VASP] vasp仿真Te原子填充CNT的异质结做差分电荷,如何处理Te的孤电子

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vasp仿真Te原子填充CNT的异质结,文献和实验都表明Te填充CNT后是N掺,电荷应该由Te转移到CNT上,但是在优化完模型分别计算异质结、单独CNT和单独Te的CHGCAR做差分电荷后,结果计算出来电荷是由CNT转移到Te,不管是如何改变CNT里填充的Te模型,甚至只是放单个Te原子到CNT里,计算出来都是电荷由CNT转移Te上,问了一下其他组的老师,说可能是是Te有孤电子导致的,但是老师也不知道咋处理,想问一下应该如何解决这个问题?

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