通道结构内氢原子迁移路径的计算求助

radical

各位老师好，我想在一个通道结构内得到一个H原子的迁移轨迹图。具体是想给通道内的一个H原子施加一个迁移方向，可以理解为这个H原子沿着通道方向从通道内暴露的吸附位点一直移动，即A-H+B+C...到A+B-H+C...到A+B+C-H...


之前我为了测试通道结构的稳定性计算过AIMD，请问我可以在VASP里面加什么关键词得到相关结果呢，比如施加一个方向的力？

我还看了一些电池里做脱锂迁移路径的计算，他们使用的是NEB计算，但我各个吸附位点都是相同，结构也是通过扩胞得到的，请问这样的情况适合NEB吗？

非常感谢各位老师能在百忙中抽空解惑！

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就用NEB呗。位点相同，能量相同，算出来的能垒才对称，做出来的图也好看。