TiN的200面，VASP结构优化慢

sujie_0910

本人小白，用VASP优化TiN的200面，先是利用MS导入晶胞，然后切面，层数是一层，然后制作POSCAR。进行结构优化，INCAR参数如下，求大神解答，慢的原因
System = TIN
ISTART=0
ICHARG=2
LWAVE=F
LCHARG=F
#parameters for electronic SCF interations
ENCUT=520
NELM=60
EDIFF=1E-5
#ISPIN=2
ISMEAR=0
SIGMA=0.05
#parameters for ionic relaxation
IBRION=2
POTIM=0.1
NSW=100
ISIF=3
EDIFFG=-0.02
#other parameters
PREC=M
ALGO=FAST
LREAL=Auto
NPAR=4

sobereva

该写在帖子内容里的问题别光体现在帖子标题里

结构文件也不给、计算资源也不提、慢是多慢也不说清楚，别人根本没法回答
好好看下文，重新修改帖子的描述
在网上求助计算化学问题的时候必须把问题描述得详细、具体、准确、清楚
http://sobereva.com/620（http://bbs.keinsci.com/thread-25787-1-1.html）