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本帖最后由 CHLllooll 于 2025-2-13 16:45 编辑
各位前辈好,我在对纯金属施加双轴应变之后采用不同的应变对小分子H的吸附能随着应变的变化不是单调的,与理论不符;
我考虑的施加应变的流程有以下几种:
1.对未切面的金属bulk模型的POSCAR的abc进行1%,2%,3%等的更改,之后再切面并加上H原子计算H原子的吸附能,该过程ISIF一直保持2
2.对金属bulk模型首先进行切面,之后对POSCAR的abc的xy轴进行1%,2%,3%等的更改,z轴不更改,并一直使用ISIF=2进行计算
3.对金属bulk模型首先进行切面,之后对POSCAR的abc的xy轴进行1%,2%,3%等的更改,z轴不更改,更改vasp代码,使用ISIF=3,控制xy方向不变只对z轴进行优化
这三种流程前两个我尝试过了都不符合规律,第三个因为需要更改代码还没有尝试,求问各位前辈该如何正确的施加应变
这是我使用的INCAR文件中的参数:
SYSTEM =LTL
# 0.Efficiency
NPAR = 4
LREAL = Auto
ALGO = Fast
# 1.Accuracy
ENCUT = 450
PREC = Normal
EDIFF = 1.E-5
EDIFFG = -0.02
NELM = 100 # maximum of 300 electronic steps
# 2.Setup
ISTART = 0
ICHARG = 2
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.02
IBRION = 2
NSW = 500 #500 ionic steps in ions
ISIF = 2
POTIM = 0.2
ISYM = 0
# 3.Physics!
GGA = PE
ISPIN = 2 #2 yes,1 no
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