具有晶格失配的界面形成能计算求助

pendft

如图1，是参考文献中的界面形成能计算公式，解释Ei计算时使用的是bulk model的能量，Estr应变能计算时使用的是slab model的能量；

AI解释bulk model为体相模型，slab model为具有真空层的表面模型；

公式开头部分的Esse/cathod应该表示为电解质/电极bulk model (体相模型)的能量，

自己之前是分别对电解质和电极的体相模型切面，再合并为异质结构，添加15A的真空层，模型如图3所示，但感觉这样是slab模型；

是不是合并异质结构后，添加长度为0A的真空层，就是bulk model了呢？就像图4这样；因为自己理解的bulk model是像图5这种，没有切面过的模型；

上面是自己的一些胡乱猜测，对理论建模还不太了解，所以想求助下各位大神（@sobereva ），是否有用类似公式对具有晶格失配的界面，计算过界面形成能，能够指导一下；