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[VASP] 求助:CoPc与GO-CoPc的ORR电子结构分析

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各位老师同学大家好!
本人使用VASP进行酸性4e-ORR方面的计算,对于CoPc及GO-CoPc的电子结构方面分析出现了疑惑:CoPc的d带中心是-0.59 eV,中心Co原子磁矩为0.002 μB,GO-CoPc的d带中心下移了一点到-0.63 eV,中心Co原子磁矩几乎没有变化(-0.001 μB)。
但是:
(1)为什么从PDOS对比来看,明明态密度右移了,但是d带中心却左移下降了;
(2)d带中心左移不应该导致吸附减弱吗?但是计算出来结果却是OOH*与OH*的吸附作用增强了;
(3)掺入氧化石墨烯后,中心Co原子的Bader电荷也是变得更正了(应该削弱对含氧中间体的吸附),但是只有O*的吸附是变弱的


PDOS.png (122 KB, 下载次数 Times of downloads: 21)

PDOS.png

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发表于 Post on 2026-1-7 20:51:56 | 只看该作者 Only view this author
你好,能求一下算CoPc的pdos时的INCAR文件吗?我初学者算他的dos的d带中心一直为正,不知道参数该怎么调,还有k点设置331,不知道会不会太小了。望回复,感谢!

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2026-1-7 22:16:32 | 只看该作者 Only view this author
lyyylyyyl 发表于 2026-1-7 20:51
你好,能求一下算CoPc的pdos时的INCAR文件吗?我初学者算他的dos的d带中心一直为正,不知道参数该怎么调, ...

我的INCAR文件当时是用vaspkit生成的,没有保存下来,现在找不到了。
k点具体看你体系的大小,同样也用vaspkit生成一般就可以了。

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