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本帖最后由 yezhonghua 于 2017-3-15 11:29 编辑
S0结构进行T1 UDFT优化,直接(0,3)优化,通过spindensity分布查看分子的T1分布。
对这点不是很了解,请教一下大神:
1、UDFT优化完后,得到的spindensity分布是否可以用来确定结构T1的来源。
2、UDFT优化得到的spindensity分布和T1 NTO(0,1)分析得到的跃迁分布是否一致。如果出现两者不一致的情况,以那个为准。
3、UDFT优化得到的spindensity分布图,spindensity分布越离域,是否其T1越低?例如分子结构A-B型;A的T1是3.0eV,B的T1是2.6eV,那么UDFT优化T1的分布完全在A上的话,其T1在3.0eV左右?如果T1分布在B和A上,那么T1应该是小于2.6eV(A)?如果T1大部分分布在A上,一小部分分布在B上,那T1是在2.6-3.0eV之间?
4、图1所示的结构UDFT优化显示T1spindensity 对称性分布,两侧都有。而图2的结构UDFT优化结构显示无对称性,只分布在一侧。这是否是结构优化的问题?图2结构的T1真实情况是否应该是对称性分布的?非对称性分布和对称性分布对于T1的大小是否具有很大的影响?
谢谢!
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