想请教一下如何表达S0→T1过程中间的过渡态

lmyqwq

各位老师好，学生现在遇到这样的一个问题
我们课题组研究的方向是通过设计单重态离域，三重态定域的分子（S1下降，T1不变）来减小单三重态的能级差，我们在计算一个分子，并对其进行NTO分析时遇到的，我们希望该分子的三重态尽可能的集中在BDP的一部分上面。但是采用不同的计算方法（以S0，S1，T1作为最优构型）进行TD运算得到的NTO分析是有一些差异的。以S0和S1作为最优构型的S0→T1这个过程的NTO分析比较的定域，而以T1作为最优构型得到的NTO结果确实比较离域的，而且TREPR谱图也能说明T1比较离域（这个感觉也是算以T1作为最优构型计算出来的）。因此我们猜测S0→T1的这个过程是一个定域→离域的过程，或者说哪一个计算结果是比较有参考价值的（我认为S0→T1这个过程使用S0,S1作为最优构型作为输入文件比较合理，从S0到S1再ISC到T1这个过程使用T1的最优构型作为输入文件可能比较欠缺？）。
或者学生想问一下能不能有一种计算S0→T1中间的一个过渡态的计算方法，看一下这个过程是不是定域→离域的过程。学生在论坛上有看到opt=TS这样的命令计算过渡态，想请教一下这种方法。
非常感谢各位老师的指导！！！

wal

研究S0→T1为什么要取S1结构？
opt=TS不是干这个用的，当前你的目的我觉得做个IRC downhill然后取其中某点进行激发分析应该差不多
部分用词我看不太懂。什么叫"以S0和S1作为最优构型的S0→T1这个过程的NTO分析比较的定域"?从S0→T1的NTO图上能看到右BODIPY向左进行电荷转移。

lmyqwq

wal 发表于 2025-6-6 09:36
研究S0→T1为什么要取S1结构？
opt=TS不是干这个用的，当前你的目的我觉得做个IRC downhill然后取其中某点 ...

感谢老师！我近期学习一下IRC相关方面的计算。就是我们小组希望设计出的分子是S1的NTO分析是H→L是分布在整个分子上的，T1的NTO是定域集中在1个BDP分子上，我们希望这样的分子设计能够降低分子的单三重态能级差。从之前发表的文章中我们认为BDP是一个很好的实现这种性质的分子，但在这个DIM和TRI的计算与我们期望的有一定差异，我们想对计算的结果进行解释。
感谢您提出的建议！！！！！

wal

lmyqwq 发表于 2025-6-10 17:29
感谢老师！我近期学习一下IRC相关方面的计算。就是我们小组希望设计出的分子是S1的NTO分析是H→L是分布在 ...

如果是研究ΔEST的话，一般关注的是S1-T1才对吧，你标题写的是S0-T1