关于VASP的电子结构计算的一些问题

going6667

各位老师，晚上好！我在学习VASP电子结构计算时遇到两个问题：
（1）VASP进行态密度计算时是否一定需要两步（自洽+非自洽）？我在知乎、B站很多帖子中看到这个说法，有人提到自洽计算不能使用ISMEAR=-5，电子占据会出现问题，高精度DOS必须用ISMEAR=0或ISMEAR=1做自洽计算，再读取CHGCAR进行ISMEAR=-5的非自洽计算。请问这个说法是否正确？
（2）对二维材料进行电子结构计算，除了功函数必须进行偶极矩矫正、能带的PBE级别计算必须两步，其他不严格需要偶极矩矫正计算的性质如Bader电荷、ELF、DOS（如果可以用一步自洽计算就完成）等是不是可以用一个自洽计算任务完成？

希望各位老师能在百忙之中抽空解答。