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[VASP] 求助,NEB计算2H相MoS2表面K+扩散能垒非常低(0.05eV)

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本帖最后由 love_yy 于 2025-10-28 20:13 编辑

模型为2H MoS2 001表面吸附K+,始末结构采用一下INCAR和221K点优化,nebmake.pl生成初始结构,INCAR和KPOINTS精度与结构优化相同。但是最后计算的能垒都是低于0.05ev。并且不止一个吸附位点和精度是这样。请教下大家是哪里有问题。



附件是初始结构和OUTCAR,nebef.dat,路径结构,以及自由能。

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发表于 Post on 2025-11-4 16:02:02 | 只看该作者 Only view this author
感觉这个迁移路径是没问题的,过渡态的结构看起来也挺合理的,也有迁移能垒就是这么低的可能,毕竟碱金属在这种表面上的吸附并不算强,K-S键长已经来到3.1埃了。
也有可能是结构优化和过渡态的精度太低了,尤其是过渡态计算的精度,感觉这两个设定成0.02/0.05会可能会对结果有改善,但是希望不是很大。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2025-11-13 17:29:12 | 只看该作者 Only view this author
白皛白 发表于 2025-11-4 16:02
感觉这个迁移路径是没问题的,过渡态的结构看起来也挺合理的,也有迁移能垒就是这么低的可能,毕竟碱金属在 ...

谢谢老师回复!结果确实好几次都是这样,确定过程没问题就行,我现在调整换路径了。

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