NICS计算时各原子处磁屏蔽张量值异常偏大

adver90

如附件中输出文件所示，在这个物质中间的五元环中，各原子的部分方向上磁屏蔽张量明显大于正常值（如图中的F其部分方向的磁屏蔽张量的值超过了3位数，明显异常），且算出的虛原子NICS-zz与文献差值巨大（文献为-36ppm）。我对输入文件进行检查，用的基组和NICS方法与原论文一致（Os原子使用def2- TZVP 基组，其余原子则采用6-311G（2d，p）基组；用NMR=GIAO的方法），所带的电荷（不带电荷）和自旋多重度（0 1）也无问题。由于我是参照原论文自己尝试更换了卤素元素（原文是Cl，我改换为F），是按照论文中的方法进行复现。想请教一下各位老师这是由于什么原因导致的问题？

zjxitcc

最好是能在帖子里直接列一些数值，或者列个表，你觉得应该是多少，哪些数值你觉得是异常的。体系啥样，方法基组是什么，“原论文”与你的问题是否有关（如果无关，则不应该提），简短几句话描述一下。不然问题太过含糊，看了附件也未必理解你觉得不对劲的地方，提问和回答都比较低效。你可以自己设想 你上论坛来回答一个问题，希望看到一个什么样的帖子 更有可能被更快更准地回答。

adver90

zjxitcc 发表于 2025-11-13 21:11
最好是能在帖子里直接列一些数值，或者列个表，你觉得应该是多少，哪些数值你觉得是异常的。体系啥样，方法 ...

好的老师，谢谢您的提醒，我已经重新上传了问题材料，抱歉给您造成不便

sobereva

NICS本来考察的就是非原子核位置的磁屏蔽情况，当前关注原子核位置的磁屏蔽值毫无意义
倘若NICS也和文献不符，参考下文
谈谈重复不出来计算化学文献里的数据的可能原因
http://sobereva.com/678（http://bbs.keinsci.com/thread-38911-1-1.html）