计算功函数的参数应该用LVHAR还是LVTOT？

yaoyuan0711

各位老师好，我在计算NiO（101）晶面的功函数，应该用什么参数控制生成LOCPOT文件？vaspkit教程给的是LVHAR = .TRUE.。但有些教程说LVHAR仅是Hartree势，LVTOT = .TRUE. 才是总静电势。

VASP版本是5.4.4。

Qilin

看手册：https://www.vasp.at/wiki/Computing_the_work_function

步骤 1：确保所选结构在垂直于表面的方向上具有足够大的无原子区域（即无电荷密度和无场区域）。一个好的经验法则是将原子置于晶胞中心，并在该方向上两侧留出 8–12 Å 的真空层。

警告：真空区域不够大会导致真空区域内产生电场，从而导致真空势的值不准确（见第 3 点）。

步骤 2：进行基态 DFT 计算。我们建议设置 PREC=Accurate。如果您的晶胞具有净偶极矩（即，它不沿表面法线方向对称），我们建议使用以下 INCAR 标签启用偶极校正：LDIPOL、IDIPOL、DIPOL。使用偶极校正对于在势能曲线中获得平坦的无场区域至关重要（参见下一点）。除了这些标签之外，设置 LVHAR=T 以仅将 Hartree 势和离子势输出到 LOCPOT 文件，或者设置 WRT_POTENTIAL=hartree ionic 以将势能存储在 vaspout.h5 文件中。

提示：我们建议仅使用哈特里势和离子势，因为交换关联势在真空区域衰减非常缓慢。使用哈特里势和离子势之和可以显著降低真空要求（从而降低计算成本），进而确定功函数。

步骤 3：计算真空势。沿表面晶格矢量方向（即垂直于表面法线的两个方向），对 LOCPOT 或 vaspout.h5 文件中的 /results/potential/hartree 和 /results/potential/ionic 数据集的内容进行平均。通过确定势能保持不变的空间区域来找到无场区域。该势能值即为真空势。

提示：存在两个真空势能区域，分别对应表面法线的两个方向。根据你的系统，其中一个方向可能比另一个方向更重要。

步骤 3b：或者，您也可以在 INCAR 文件中设置 LVACPOTAV=T，VASP 可以计算真空势。然后，您可以使用 grep 命令在 OUTCAR 文件中查找输出结果。

1. grep upper OUTCAR

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输出结果如下：

1. vacuum level on the upper side and lower side of the slab         8.049         7.778

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步骤 4：确定费米能级。费米能级直接写入 OUTCAR 文件。在 OUTCAR 文件中搜索以下几行，即可获得以 eV 为单位的费米能级。

1. grep "Fermi energy" OUTCAR

复制代码

考虑一个吸附在 fcc-Pt(111) 表面上的碳原子。底面和顶面并不完全相同：一个表面洁净，另一个表面吸附有碳。由于该系统具有净偶极矩，我们需要在计算中使用偶极修正。该系统的 INCAR 文件示例如下：

1. LDIPOL  = T
   
2. IDIPOL  = 3
   
3. DIPOL   = 0.5 0.5 0.5
   
4. LVHAR   = T
   
5. PREC    = Accurate
   

复制代码

yaoyuan0711

Qilin 发表于 2026-4-8 19:35
看手册：https://www.vasp.at/wiki/Computing_the_work_function

步骤 1：确保所选结构在垂直于表面的方 ...

好的，谢谢您了