使用vasp进行能垒计算和氢键网络AIMD计算问题求助

芒果核桃酥。

首先恭祝大家新年快乐！有两个问题困扰我很久了，希望大家能够指点！
1.我在对比计算纯SnO2和S参杂的扭转晶界异质结催化剂上H2解离成两个H原子的能垒时，中间插点初始位置都很理想正常，但是在CI-NEB计算完成后中间插点会跑到很奇怪的位置，初末态吸附的位置我尝试过不同的，但是还是会出现类似的问题；CI-NEB的计算参数也是和优化时候的参数保持一致的，我不知道该如何调整了。
2.在相同的催化剂面上添加水分子层进行氢键网络的AIMD计算，但是计算后总出现H2O解离吸附到催化剂上的情况。在查阅相关文献阅读关于计算统计近催化剂面处的平均水分子数目中，基本上没有这种情况.......吧？虽然这两种催化剂都能催化HER进行，且在纯SnO2上催化能力很强，但按照我浅薄的认知，既然要统计水分子数目，那至少水分子不能有分解吧？我不知道该如何处理了。下图是我将水分子层放置好后升温到目标温度的结果结构，此时已经出现H2O解离了。