求助CeO2(100)晶面建模与氧空位形成能计算

Jihang · 发表于 Post on 2026-4-22 13:05:00

我用VASP计算CeO2不同晶面的氧空位形成能，用MS切的晶面，文献上(100)面的氧空位形成能是高于(110)的，可是我怎么计算都是(100)晶面的氧空位形成能更低，不知道是不是建模方面的问题，请各位老师指点一下。

U加了5，开了偶极校正，开了自旋，K点网络用的的1 1 1，我试了多切几层，也试了扩大超胞，怎么算都不行，不知道是哪里的问题了。

我切出来的(100)面的Ce-O是晶胞的对角方向，文献上看起来是我这个结构旋转45°的情况，请问这两种建模对结果会不会有影响呀？还有我应该怎么调整我切的晶面的方向呢？还是说有其他需要注意的因素？

shinnashiori · 发表于 Post on 2026-4-23 10:02:22

应该不是建模的问题，你要注意文中计算时候的具体参数了，首先要确保参数的一致性，还有 k 点的取值是不是有点儿小了？

Jihang · 发表于 Post on 2026-4-23 11:04:24

本帖最后由 Jihang 于 2026-4-23 11:05 编辑

shinnashiori 发表于 2026-4-23 10:02
应该不是建模的问题，你要注意文中计算时候的具体参数了，首先要确保参数的一致性，还有 k 点的取值是不是 ...

我用3x3和4x4的超胞都算了，晶胞本身已经比较大了，所以K点就取了1 1 1，这也是按照文献上来的。具体设置参数ENCUT，EDIFF，EDIFFG，这些参数也都是按文献来的

Boble · 发表于 Post on 2026-4-29 21:31:21

K点111感觉有点小了

zhj45318403 · 发表于 Post on 2026-5-19 00:00:32

您好，请问您最后解决了吗？

Jihang · 发表于 Post on 2026-5-23 16:17:42

zhj45318403 发表于 2026-5-19 00:00
您好，请问您最后解决了吗？

没有，后来把slab旋转45°计算的结果也没差多少

shinnashiori · 发表于 Post on 2026-5-24 10:22:37

本帖最后由 shinnashiori 于 2026-5-24 10:23 编辑

Jihang 发表于 2026-5-23 16:17
没有，后来把slab旋转45°计算的结果也没差多少

嗯，你可以再对照一下你初包的晶格参数，结构不同可能是你和文献初包晶格参数有不同，可能文献切的100，你要切010。
还有就是你具体算氧空位的计算方法是什么

Jihang · 发表于 Post on 2026-5-25 10:01:37

shinnashiori 发表于 2026-5-24 10:22
嗯，你可以再对照一下你初包的晶格参数，结构不同可能是你和文献初包晶格参数有不同，可能文献切的100， ...

100和010我都切出来算了，氧空位形成能没差太多，整体还是小于110，氧空位形成能计算方法是：E缺陷表面 + 0.5*E氧气 - E完美表面，这样子

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