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[VASP] 二维材料ISIF=2结构优化面内应力分量xy较大

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没有编译过的服务器,所以是用isif=2优化二维材料,计算的结构是对已知六方晶系的分子进行掺杂改性后的结构,isif=2优化时保持α=β=90°,γ=120°。

优化后发现xy方向存在较大应力(通常二维材料关注xx和yy方向),需要修改晶格参数中的γ角释放xy方向应力吗





(图片一直传不上,对应分量如下)

Direction       XX           YY            ZZ             XY            YZ               ZX

Total      0.12194     0.64623    -0.89321     8.09370     0.01371     0.01042

in kB      0.02537     0.13442    -0.18580     1.68360     0.00285     0.00217

external pressure =       -0.01 kB  Pullay stress =        0.00 kB

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发表于 Post on 2026-5-10 11:16:41 | 只看该作者 Only view this author
尝试使用ISIF=4

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2026-5-10 14:13:30 | 只看该作者 Only view this author

感谢!用4之后xy方向的应力被释放了,还想问问①不同元素取代改性结构优化后γ角和原始的完美晶胞γ角(120°)不同是可以的吗,以及②后续要计算功函数,所以希望真空层大小一致,我可以先用4优化得到合适的γ角结构后,再修改真空层厚度一致为20埃,再用ISIF=2优化一遍吗

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