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[VASP] 全新二维材料结构优化时γ角需要优化吗

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对一个已知六方晶系的二维材料进行了掺杂取代边缘修饰,结构优化时ISIF=2,保持α=β=90°,γ=120°,发现xy方向存在较大应力。
通过ISIF=4释放xy方向应力后,γ角改变。能量降低0.3eV。
那么对于这种全新构建的二维材料γ角需要优化吗,还是保持120°?

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