VASP表面断键结构优化求助

GHR1111 · 发表于 Post on 2 hour ago

本帖最后由 GHR1111 于 2026-5-12 11:27 编辑

各位老师好！我想计算一个在层状氧化物表面有机小分子先吸附再脱F的一个过程，层状氧化物表面我删掉了2个O制造了O空位，我希望脱掉的F能进入O空位,POSCAR是在优化好的吸附构型的基础上，我人为的断掉CF键，将F放到O空位上，然后把fec剩余的部分调转了一个方向（我不希望优化完CF键又连上了），基于以上构型进行一个初步的结构优化（先不给Mn加dftu，初步优化完后再进行加dftu的优化），发现结构优化完CF键又会连回去，我初步猜想，是不是人为断CF键后，fec的F和剩余部分会带上正负电荷，即使把他俩摆的距离分开，正负电荷相互吸引还是会回去？我想请教如果我想计算fec在表面脱F的结构，我的输入文件是否要做相应的修改？

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