求助，HSE杂化泛函计算缺陷转变能级比文献值低很多

小白一个

我想计算体相材料的缺陷转变能级，我用两种方法算，PBE和HSE，我的做法是先扩胞到80个原子左右，然后用杂质来替换一个原子，算两个能量，一个是中性缺陷的，先用ISIF=2做离子弛豫，再分别用PBE和HSE做自洽计算得到总能，另一个是加一个电子，用NELECT参数增加一个电子，同时用ISIF=2做离子弛豫，再分别用PBE和HSE做自洽计算得到总能，用这两个总能的差值，再减去原胞计算得到的VBM，得到缺陷转变能级ε(0/-)。就是这个公式ε(0/-)=[E(0)-E(-)]/(-1-0)-Evbm。

但结果很奇怪，PBE的结果和文献能比较好的吻合，但HSE结果比文献小很多。HSE我调了AEXX参数来调整带隙，和文献用的相同，原胞、带电缺陷的和加电荷的超胞都用了相同的AEXX参数，但我算了几种体系都是这样的结果，都是比文献低很多，Zn:β-Ga2O3低了0.7eV（1.2-0.5），Mg:κ-Ga2O3低了1.0eV（1.3-0.3），N:ZnO低了0.4eV（1.3-0.9），Mg：GaN低了0.2eV（0.4-0.2）。我使用了FNV方法对带电缺陷形成能做了矫正。

我不知道哪里出了问题，因为PBE的结果能吻合，所以我觉得计算的流程应该没错，我感觉问题可能出在缺陷超胞的总能，就是中性和带电的总能差值太小了。一个是，这个能量差，HSE结果明显小于PBE结果，第二是，对于Ga2O3这种，有相同元素但位点不同的替位缺陷，文献里不同位点缺陷转变能级有0.1到0.3eV的差值，但我算的结果差值只有0.02eV。从直观感觉上，好像HSE加了一个电子以后，能量被什么屏蔽掉了。

我在网上查了一些可能的原因，增加K点、增大ENCUT、超胞扩大一倍，我都试过，结果几乎没有变化。

我在小*虫上看到一个帖子，和我的问题一样，他的DFT结果比较准，HSE结果就是，加电荷后能量差值很小，但没看到解决办法。有什么建议请大家不吝赐教！非常感谢！

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