【求助】为什么在硅羟基巢中的氮取代能大于在Si-O-Si上的氮取代能？

dudangman

我想用VASP计算氮取代能，这是我的INCAR参数，算出来的结果和理论上（在硅羟基巢中进行氮取代，替代能应该更小）相反，我不知道哪里出现了错误，想请教一下大家，谢谢。
SYSTEM = opt
NWRITE = 1  
ISTART = 0  
ICHARG = 2  
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.
NCORE = 32   
ENCUT = 400   
EDIFF = 1E-5  
EDIFFG = -0.05   
#PREC = Accurate   
ISPIN = 1   
GGA = PE   
NSW  = 500  
IBRION = 2   
ISIF   = 2   
ISYM   = 0   
POTIM  = 0.3   
ISMEAR =  0   
SIGMA  =  0.1   
IALGO  = 48   
LREAL  =  Auto   
IVDW = 12