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[VASP] 在表面吸附计算中,晶格优化是否需要加入色散修正

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各位老师好,请问在使用 VASP 进行 Cu 表面吸附的计算的时候,如果后续的吸附过程要加D3,对应的体相晶胞的优化的时候是否要加D3矫正呢。加D3晶胞参数为3.633埃 不加为3.568埃,实验值为3.61埃

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2#
发表于 Post on 3 hour ago | 只看该作者 Only view this author
只有同类计算横向对比时加不加D3必须统一,加和不加D3就等同于用两个不同的计算级别
诸如你若对整个吸附体系做优化时带了D3,则单独优化基底、被吸附物就都得带D3。
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