用TD双杂化或STEOM-CCSD计算荧光发射能应该用S0结构做opt还是用S1结构做单点能运算

曹丽佳

各位老师，请问一下：用TD双杂化或STEOM-CCSD计算荧光发射能应该用S0结构做opt还是用S1结构做单点能运算?
计算思路如下：

• 先使用Gaussian进行基态S0、激发态S1或S2（目标激发态，以下统一记为Sn）的分子结构优化，得到S0和Sn的极小点分子结构文件。
• 计算荧光发射能时，采用LR-TDDFT方法，是取1.中做opt优化Sn结构输出文件中最后一次S0-S1的激发能，作为荧光发射能。
  

问题：需要基于LR模型，比较TD-双杂化和DLPNO-STEOM-CCSD方法计算得到的荧光发射能，及绝热激发能。
①. 在ORCA中，基于DLPNO-STEOM-CCSD方法计算荧光发射时，是不是直接用Gaussian基于TDDFT方法优化出来的激发态极小点结构文件然后做单点能运算，而不是用基态S0的极小点结构文件做opt优化？
②. 在ORCA中，基于TD-双杂化做荧光发射能的计算，应该还是保持基于基态S0的极小点分子结构文件做opt运算，得到最后一次激发能作为荧光发射能吗？


非常感谢各位老师们的指正和不吝赐教！