如何使用Gaussian联用Multiwfn研究带电体系如：金属团簇Cu4-C60的ETS-NOCV分析？

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      具文献所述，富勒烯C60结构上有丰富的能级，可与金属团簇相互作用稳定体系。当金属团簇收到外界作用(如：外电场，吸附化学物质键合作用发生氧化/还原时），C60会可逆地给予/夺取金属团簇上的电子，实现电子缓冲作用。
     现在想知道C60能对金属有电子缓冲效应的原因，于是打算通过ETS-NOCV的形变电荷密度分析来研究Cu4与C60这两个片段在外界扰动下，究竟是由哪个关键轨道引导的在Cu4与C60之间可逆的电子来回转移作用。
     现在已经按照sob老师的ETS-NOCV教程《使用Multiwfn通过ETS-NOCV方法深入分析片段间的轨道相互作用 - 思想家公社的门口：量子化学·分子模拟·二次元》，分析了Cu4-C60在0电荷中性体系下的ETS-NOCV。可是当到计算带-1价态的Cu4-C60负电体系时出现了一些问题。因为ETS-NOCV需要计算“Cu4-C60整体”、“片段Cu4”、“片段C60”的单点能，如果按照一样的电荷设置（-1 2）计算单点。在Multiwfn的23功能中输入各个片段进行分析时，就会出现电荷不相等的情况（这是由于片段“Cu4-C60整体”、“片段Cu4”、“片段C60”都赋予了-1的电荷，当片段“Cu4+片段C60”与“Cu4-C60整体”比较时，就会多出一个电子）而报错。
     想虚心请教一下各位老师同学们，这种带电荷的体系怎么进行ETS-NOCV的分析？或者有没有更好的分析方法？能力有限，描述不清楚和不对的地方还请见谅，学生在此谢过大家


关于自旋多重度的选择仍在测试。目前是按最低自旋态取，0价取S=1   ;  -1价取S=2.
结构优化用的是opt BPW91/gen pseudo=read  C 6-31G(d,p)   Cu SDD（参照文献ACS Catalysis：Disentangling the Catalytic Mechanisms of C60-Buffered Cu/SiO2 Catalyst for DMO-to-EG Conversion   ； doi: 10.1021/acscatal.4c03943）
单点能计算PBE1PBE/def2tzvp EM=GD3BJ nosymm


0和-1价态的Cu4-C60及其片段Cu4，C60的fchk文件如下(因为文件太大上传不了，只能挂到百度网盘上了)：
https://pan.baidu.com/s/1Cl0g3jugpbKNN2ra3RTVAg?pwd=r9a9

KazusaT

电荷的话我的理解是取决于研究什么，从你的描述来看，你研究的是C60对金属团簇的电子缓冲，那应该赋予Cu-cluster -1的电荷，C60的电荷为0

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KazusaT 发表于 2026-7-9 16:28
电荷的话我的理解是取决于研究什么，从你的描述来看，你研究的是C60对金属团簇的电子缓冲，那应该赋予Cu-cl ...

感谢您的回复，我目前也是这样认为，我尝试一下看看

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KazusaT 发表于 2026-7-9 16:28
电荷的话我的理解是取决于研究什么，从你的描述来看，你研究的是C60对金属团簇的电子缓冲，那应该赋予Cu-cl ...

前辈您好，再想请教一下。像想探究Cu4-C60体系在外界扰动下，C60对Cu4电子结构调控的电子缓冲作用是由于C60结构上的什么特殊成分引起的，有没有更好的分析方法。目前用的这个ETS-NOCV得到的若干电子转移通道片段貌似无法明确归属为Cu4或者C60上，那样的话还是很难研究Cu4与C60的可逆来回的电子交换现象。