求助：二维材料 HER 计算中 H 吸附后是否需要重新优化晶胞参数

sunaLion · 发表于 Post on yesterday 14:45

想请问各位老师，在二维材料 HER 计算中，已经对本征二维材料晶胞进行了充分结构优化。随后在其表面吸附一个 H 原子并计算 H 吸附自由能时，是否需要再次优化晶胞参数？还是只需要固定晶胞参数、仅优化原子位置？在什么情况下需要考虑重新优化晶胞？

灰飞的旋律 · 发表于 Post on 5 hour ago

吸附计算时不需要优化晶胞，用ISIF=2，不然吸附能计算的就不准确了。

sunaLion · 发表于 Post on 5 hour ago

灰飞的旋律发表于 2026-7-10 09:51
吸附计算时不需要优化晶胞，用ISIF=2，不然吸附能计算的就不准确了。

好的，谢谢老师的回答

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[VASP] 求助：二维材料 HER 计算中 H 吸附后是否需要重新优化晶胞参数