Cu2O 100晶面表面重构问题

赵非命

想问下老师们，我在计算Cu2O100和111晶面想计算计算氧空位形成能，在优化纯100表面时候一直不收敛，一看发生了表面重构跑偏了，我看论坛有关于极性面非极性面的讨论，想问下建模时候一般都要采用非极性面还是怎么回事，如果不的话，那人为再选择表面还有一定要符合化学计量比吗，感觉不好满足啊，还是我的incar方面有些问题 SYSTEM = default
Start parameter for this Run:
  ISTART = 0
  ICHARG = 2
  INIWAV = 1
#  NCORE=26
   NPAR= 1




Electronic Relaxation:
  ENCUT = 520
  ENAUG = 650
#  PREC = Accurate
  IALGO = 48
#   ALGO=Normal
    NELM = 100
  NELMIN = 8 # surface = 8, bulk = 4
  NELMDL = -12 # When IALGO = 38, 0
  EDIFF = 1E-06
#  NBANDS = 1600
   GGA = PE
#  VOSKOWN = 1
  LREAL = Auto
  WEIMIN = 0

Ionic Relaxation:
  EDIFFG = -0.03
  NSW = 200
  IBRION = 2
# IBRION=1：对于初始结构接近局域极小时是最好的选择
# IBRION=2：比较可靠，弛豫困难时，推荐使用
# IBRION=3：对非常糟糕的初始结构进行弛豫时可考虑使用
  ISIF = 2
# 在每个压力点下优化晶格常数，保持原子位置不动     ISIF=7
# 在每个压力点下优化原子位置，保持晶格常数不动     ISIF=2
  POTIM = 0.1
# POTIM代表步长，步长太大，收敛的不是极值；POTIM 太小是否会影响优化速度
# IOPT = 2（VTST的代码）
  ISYM = 0
# ISYM：决定是否使用对称性。取值：-1~3（-1,0-不使用，1,2,3-使用）
# 使用US-PP 1；使用PAW 2；ISYM=3时仅考虑力和应力张量的对称性，而电荷密度是非对称的。

DOS related values:
  SIGMA = 0.05
# 越小精度越高，vasp默认为0.2
  ISMEAR = 0
# 计算能带：导体的话，用ISMEAR=1；半导体或绝缘体，用ISMEAR=0 。
# 计算 DOS： ISMEAR一般取-5都可以算；金属可用0、1，非金属不要大过0，体材料可用－4、－5（面的话就用－1、0吧？）


Spin polarized:
ISPIN  = 2
MAGMOM = 128*0.5 80*0.0

# 1非自旋，得到up的dos；2自旋，比如Fe Co等的氧化物，得到双向的dos。
#  MAGMOM = 1(amount)*2(initial moment) 3*2

File writing
  LWAVE = .FALSE.
  LCHARG = .FALSE.

LDAU      = .TRUE.       # 开启 DFT+U
LDAUTYPE  = 2            # 使用 Dudarev 线性组合方法 (U-J)
LDAUL     = 2  -1        # 轨道量子数：Cu 的 d 轨道(2)，O 不加U(-1)
LDAUU     = 5.0 0.0      # Cu 的 U 值 (一般推荐 5.0 - 7.0 eV)
LDAUJ     = 0.0 0.0      # Dudarev 方法中 J 固定为 0
LDAUPRINT = 2            # 输出加 U 的占位矩阵信息（可选）

Calculation of DOS
#  RWIGS = 1.286 1.000 0.370 # It is not necessary to use it for PAW potential.
#  NPAR = 1
#  LORBIT = 1

# vdW Calculation
# PARAM1 = 0.1234
# PARAM2 = 1.0000
# LUSE_VDW = .TRUE.
# AGGAC = 0.0000
#  IVDW = 1

# U Calculation
LDIPOL = .TRUE.
IDIPOL = 3