|
|
本帖最后由 Ying_Zhang 于 2026-8-6 16:36 编辑
复现论文中对QMMM这个方法的验证：
1）使用较小模型，288个Si原子，以及插入间隙的1个Mg原子。采用CP2K和VASP分别进行结合能的计算，结果分别是-2.1690148999eV和-2.202903850eV。
2）再使用大模型，对9216个纯Si模型进行分子力学的&CELL_OPT和&GEO_OPT弛豫。
3）划分QM区域和MM区域，QM区域包括128个Si原子。
4）在不插入Mg原子之前，对已划分好的QM和MM区域的9216个Si模型如图和结构文件（红色为QM边界原子和link键QM区域原子，黄色为QM内部原子，绿色为link键MM区域原子），进行QMMM的&GEO_OPT弛豫，文件1。
5）在第4步计算结束的结构基础上，在QM区域插入Mg原子，9217个原子，再进行QMMM的&GEO_OPT弛豫，进行结合能的计算结果为-2.705401589eV，文件2。
这5步就是我进行QMMM计算的大概步骤，所以想请问一下为啥QMMM和纯DFT的结果相差较大，0.5eV，如何进行缩短。
原论文中，MM采用的是分子动力学（MD）进行的升温和退火的分子动力学弛豫，而我就采用普通的Tersoff势函数的分子力学弛豫，是否和这个有关系？
|
|
发表于 Post on 2026-7-28 17:05:48
|
只看该作者 Only view this author
|只看大图 View big picture
|倒序浏览 Reverse view
|阅读模式 Reading model
收藏 Add to favorites
楼主 Author