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[VASP] 计算CUO111表面DOS显示带隙过小

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本帖最后由 zyd 于 2026-8-7 18:20 编辑

各位老师好,最近再计算CUO111的表面吸附性质计算。我是CUO体块优化的基础上进行切表面计算的,对于体块DOS计算显示明显的半导体性质,并且计算出来的DOS和文件基本一致。计算完成之后,切表面进行优化,体块进行DOS计算时INCAR内容如下(U值是采用文献中做法):

ISTART = 1
ICHARG = 11
PREC = Normal              
LWAVE  = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.

! 电子步设置
ALGO = Normal              
EDIFF = 1E-5
ENCUT = 520
ISMEAR = -5

! 离子步设置(结构优化)
IBRION = -1
ISIF = 3
NSW = 0
EDIFFG = -0.05         
LAECHG = .T.
NEDOS=500
LORBIT=11

! 磁性设置
ISPIN = 2                 
MAGMOM = -2 2 2 -2 0 0 0 0
LORBIT = 11      
ISYM   = 0      
LMAXMIX = 4

LDAU   = .TRUE.
LDAUTYPE = 2         
LDAUL  = 2 -1      
LDAUU  = 7.0 0.0      
LDAUJ  = 0.0 0.0      
NGX = 28                    
NGY = 20                    
NGZ = 30                    
相应的OUTCAR中关于磁矩部分如下:
    1       -0.003   0.002  -0.706  -0.707
    2        0.003  -0.002   0.706   0.707
    3        0.003  -0.002   0.706   0.707
    4       -0.003   0.002  -0.706  -0.707
    5        0.000  -0.000   0.000  -0.000
    6        0.000  -0.000   0.000  -0.000
    7        0.000  -0.000   0.000  -0.000
    8        0.000  -0.000   0.000  -0.000
--------------------------------------------------
tot          0.000  -0.000   0.000   0.000
净磁矩为零,反铁磁性。然后在此基础上进行切表面结构优化,进行单点计算以及读取单点产生的电荷和波函数进行DOS计算 (这里展示的切4层,两层固定两层优化,自己也做过切6层,两层固定四层优化,DOS结果差不多),其中DOS的INCAR内容如下

! 全局设置
ISTART = 1
ICHARG = 11
PREC = Normal            
LWAVE  = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.

! 电子步设置
ALGO = Accurate           
EDIFF = 1E-6
ENCUT = 520
ISMEAR = -5      (也试过ISMEAR=0,效果一样)
NELM   = 100               
NELMIN = 4                  
! 离子步设置(结构优化)
IBRION = -1
ISIF = 2
NSW = 0
EDIFFG = -0.05        

LAECHG=.T.
NEDOS=500
LORBIT=11

! 磁性设置
ISPIN = 2                 
MAGMOM = 2.0 -2.0 2.0 -2.0 2.0 -2.0 2.0 -2.0 2.0 -2.0 2.0 -2.0 2.0 -2.0 2.0 -2.0 16*0.0
LORBIT = 11     
ISYM   = 0      
LMAXMIX = 4

LDAU   = .TRUE.
LDAUTYPE = 2         
LDAUL  = 2 -1        
LDAUU  = 7.0 0.0      
LDAUJ  = 0.0 0.0      

!色散修正(vdW)- 吸附能计算必备
IVDW   = 11                  

! 混频参数(优化 SCF 收敛稳定性)
AMIX   = 0.2                 
BMIX   = 0.0001              
AMIX_MAG = 0.8              

BMIX_MAG = 0.0001

KPOINTS内容如下:
K-Spacing Value to Generate K-Mesh: 0.020
0
Gamma
   9   8   1
0.0  0.0  0.0。
相应的POTCAR内容如下:
PAW_PBE Cu 05Jan2001
   TITEL  = PAW_PBE Cu 05Jan2001
PAW_PBE O 08Apr2002
   TITEL  = PAW_PBE O 08Apr2002
最后计算完相应的OUTCAR磁矩部分如下:
# of ion       s       p       d       tot
------------------------------------------
    1       -0.006  -0.001   0.677   0.670
    2        0.002  -0.001  -0.679  -0.678
    3       -0.002   0.002   0.684   0.684
    4        0.004  -0.001  -0.689  -0.685
    5       -0.006  -0.001   0.677   0.670
    6        0.002  -0.001  -0.679  -0.678
    7       -0.002   0.002   0.684   0.684
    8        0.004  -0.001  -0.689  -0.685
    9        0.013   0.013   0.557   0.584
   10       -0.000  -0.000  -0.674  -0.675
   11        0.000   0.001   0.679   0.681
   12       -0.013  -0.019  -0.601  -0.633
   13        0.013   0.013   0.557   0.584
   14       -0.000  -0.000  -0.674  -0.675
   15        0.000   0.001   0.679   0.681
   16       -0.013  -0.019  -0.601  -0.633
   17        0.006   0.080   0.000   0.086
   18       -0.009  -0.111   0.000  -0.120
   19        0.008   0.043   0.000   0.050
   20       -0.011  -0.259   0.000  -0.270
   21        0.011   0.287   0.000   0.298
   22       -0.006  -0.044   0.000  -0.051
   23        0.009   0.121   0.000   0.130
   24       -0.006  -0.078   0.000  -0.085
   25        0.006   0.080   0.000   0.086
   26       -0.009  -0.111   0.000  -0.120
   27        0.008   0.043   0.000   0.050
   28       -0.011  -0.259   0.000  -0.270
   29        0.011   0.287   0.000   0.298
   30       -0.006  -0.044   0.000  -0.051
   31        0.009   0.121   0.000   0.130
   32       -0.006  -0.078   0.000  -0.085
--------------------------------------------------
tot         -0.001   0.067  -0.089  -0.024。我自己发现切表面之后O原子自身也具有磁矩,但是整体磁矩基本为零.做出来的DOS如下: 这样的结果导致带隙非常小,我自己做了一些思考,这个表面模型带隙的减小表面模型导致的Cu和O的磁矩变化进而导致在禁带中出现了一些表面态所导致的,不知道是不是这个意思?但是文献中计算带隙虽然相较于体块有减小,但是也明显看出半导体性质,我自己算的感觉几乎成导体了,后面计算计算的吸附模型就更糟糕了
(DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b10431)。。。所以想要和文献中的那样,我应该对参数进行如何更改?谢谢老师

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