关于主客体材料的磷光发射能计算

Sapphiron

各位老师好，想请教一下关于主客体材料磷光发射能计算的问题。
我的材料以客体分子作为磷光发射单元，主体基质为硅烷水解后形成的硅氧网络，主要起限域作用。我对该材料进行了变温磷光光谱测试，实验结果表明，其发光来源于磷光，而非延迟荧光。此外，我将客体分子溶于2-甲基四氢呋喃中，并测试了其在77 K下的磷光光谱。该光谱与主客体材料的磷光光谱基本一致，这一结果支持材料的磷光来源于客体分子的单体发射。
我对客体分子的磷光发射能进行了气相下的理论计算，但计算得到的发射波长比实验值大了约300 nm，二者偏差较大，所以认为不能简单地使用气相下的计算结果。因此，想向各位老师请教以下几个问题：
1.对于此类以硅氧网络为主体基质的主客体体系，理论计算时应如何建立较为合理的模型？
2.如果主客体材料与客体分子的实验磷光光谱基本一致，仅对客体分子进行理论计算是否合理？
3.是否可以通过理论计算模拟客体分子在低温环境下的磷光发射？如果可以，通常应采用什么样的方法？