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1)一般如金属这样的体系不会形成带电缺陷，所以杂质能级与Fermi level无关，是一根平线；但是带电体系与Fermi能级、带的电荷有关，因此在图上就是个斜线；Fermi能级和一些材料的电学性质非常相关；
2)横坐标是Fermi level；
3)rich表示这种物相比较富足的状态，当富Ga的时候，Ga的化学势可定义为纯Ga体相的能量；
4)host atoms指的是宿主原子吧，就是体结构本身的那些原子；impuriy很显然是杂质原子，原本体相原子之外引入的掺杂原子；
5)浅能级一般杂质的受主能级离host的价带顶比较接近，也比较容易发生电荷转移；
6)这个按照文章的说法就是在计算过程取了有限的k点以及力、静电不平衡等因素导致的误差，Ecorr就是这部分的校正，怎么算我不太了解；
7)这个我也不是特别了解，不过看文中的说法指的应该是host的带电状态，In principle, internal excitations of the defect can occur in which the charge state of the defect remains unchanged. More commonly, however, carriers are exchanged with the semiconductor host and a transition to a different charge state occurs. These different charge states may correspond to quite different local lattice configurations；
8)横坐标的最大值对应着Fermi能级进入CBM，这个时候应该是杂质原子带了负电荷，而且体系对这些电荷束缚性不强，半导体n型倾向比较严重；您需要记得的是问题1)的解释，图上除了q=0的形成能的线与Fermi无关，但q=-1和q=+1就有关系，Fermi能级对于半导体一定是介于VBM和CBM。
个别问题（如问题6和7）我也不是特别确定，仅供参考，希望更多的人能够加入讨论。有些问题可能表述的不是很严谨，我还是建议您找本《半导体物理》和《固体物理》（尤其是前者）稍微看看会有帮助，这对入门也非常有好处。 |
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发表于 Post on 2015-1-20 16:46:57
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