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[VASP] 反应路径中的基元步骤可能同时有两个键断裂或生成吗?过渡态该如何确定?

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楼主
最近在用VASP计算一个体系,金属表面吸附氧分子并氧化有机分子。但是计算中发现,若分子中的H吸附其中一个O原子后,有机分子的C-H键和氧气分子的O=O键会同时断裂。这种情况是否可以算是一个基元步骤?但是计算该步的过渡态发现有两个较大的虚频,很难消除。请问这是因为我的基元步骤优化还不够细致,应该分为两步进行,还是在搜索过渡态的时候没有计算准确?
另外,对于NEB或CINEB搜索过渡态有什么好的经验办法吗?每次算过渡态都很费时费力,希望能有一些建议,必重谢。
十分感谢。

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发表于 Post on 2017-11-3 19:35:49 | 只看该作者 Only view this author
最简单的DA反应,也是基元反应,3根旧键断裂,3根新键生成,比你说的还要多,很正常。
至于NEB找过渡态的技巧我就不懂了。
自动做多参考态计算的程序MOKIT

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2017-11-6 10:13:03 | 只看该作者 Only view this author
zjxitcc 发表于 2017-11-3 19:35
最简单的DA反应,也是基元反应,3根旧键断裂,3根新键生成,比你说的还要多,很正常。
至于NEB找过渡态的 ...

嗯,谢谢你。

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