可以用什么表征无辐射跃迁过程的强弱？

好好学习 · 发表于 Post on 2018-1-11 15:08:39

请问各位大神，有哪些量可以用来定性表征无辐射跃迁过程的强弱？比如我想比较两个分子的无辐射跃迁过程，可以用哪些量来定性比较呢？我之前看到一个说法，不确定是否正确，拿来跟大家讨论一下：1.绝热激发能（值越大越困难）；2.重组能（值越大越容易）；3.非绝热耦合向量（？）。
我的问题：1.以上说法是否正确？有没有参考文献或书？
2.非绝热耦合向量是什么？它和非辐射跃迁的关系是什么？它理论计算吗？假设能，怎么算？
3.若以上说法不正确，有没有其他量或办法来比较无辐射跃迁过程？

ggdh · 发表于 Post on 2018-1-12 16:15:27

可以直接用MOMAP算IC 速度

柒月小鱼 · 发表于 Post on 2018-1-12 22:30:32

ggdh 发表于 2018-1-12 16:15
可以直接用MOMAP算IC 速度

大佬请问您计算过T1到S0的IC的跃迁电场么

柒月小鱼 · 发表于 Post on 2018-1-12 22:36:21

这个激发态到基态的内转换是最先考虑的在本论坛里面有很多相关的讨论觉得你可以看看

好好学习 · 发表于 Post on 2018-1-13 08:27:55

ggdh 发表于 2018-1-12 16:15
可以直接用MOMAP算IC 速度

该体系无法用momap计算

好好学习 · 发表于 Post on 2018-1-13 08:29:12

柒月小鱼发表于 2018-1-12 22:30
大佬请问您计算过T1到S0的IC的跃迁电场么

我只是个学生懂得连皮毛都算不上大佬万万不敢当
我想表征的是S1到S0的无辐射过程

好好学习 · 发表于 Post on 2018-1-13 08:29:23

柒月小鱼发表于 2018-1-12 22:36
这个激发态到基态的内转换是最先考虑的在本论坛里面有很多相关的讨论觉得你可以看看

好的我看看谢谢

万里云 · 发表于 Post on 2018-1-13 10:28:57

跑个非绝热动力学，根据布局数随时间的变化关系计算寿命，估计可以表征。

三石草祭 · 发表于 Post on 2018-1-13 10:51:39

无辐射可以用基态和激发态几何结构构型的变化大小来表征下，比如键长，二面角等等，清华大学帅志刚老师组的文章可以看下，有这样的解释，重组能也是表征无辐射大小的物理量，可以用四点法计算下

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[综合交流] 可以用什么表征无辐射跃迁过程的强弱？

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