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标题: Gaussian 做导电或者介电高分子可以从哪些角度来分析 [打印本页]

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Author: 刘由牛 时间: 2020-10-9 15:21
标题: Gaussian 做导电或者介电高分子可以从哪些角度来分析
各位老师，我想问一下如果我想从电子层面上来分析导电或者介电高分子，那主要可以从电子的哪些角度上来具体分析。

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Author: 喵星大佬 时间: 2020-10-9 15:27
我觉得高斯做高分子不是一个好的选择

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Author: 刘由牛 时间: 2020-10-9 15:35

喵星大佬发表于 2020-10-9 15:27
我觉得高斯做高分子不是一个好的选择

老师，如果想从电子层面来研究高分子，用什么软件比较好，谢谢老师。

作者
Author: wzkchem5 时间: 2020-10-9 16:24
看你想做得多细了。
有时候只是作HOMO、LUMO图就可以定性说明一些结论，这时可以用高斯算寡聚物来解决。
如果需要定量计算迁移率之类的，那高斯就不行了，可能需要ADF，不过这一块我不太了解

作者
Author: sobereva 时间: 2020-10-9 17:51
如果是寡聚物，可以用Gaussian算HOMO-LUMO gap说事，看
正确地认识分子的能隙(gap)、HOMO和LUMO
http://sobereva.com/543（http://bbs.keinsci.com/thread-16758-1-1.html）

如果当周期性体系计算，拿Gaussian对一维周期性体系做PBC计算，从而获得band gap，也有一定实用性

作者
Author: 刘由牛 时间: 2020-10-9 19:00

sobereva 发表于 2020-10-9 17:51
如果是寡聚物，可以用Gaussian算HOMO-LUMO gap说事，看
正确地认识分子的能隙(gap)、HOMO和LUMO
http://s ...

老师，如果计算的是寡聚物，可否利用Marcus理论来计算载流子迁移率来说明一些问题

作者
Author: 刘由牛 时间: 2020-10-9 19:00

wzkchem5 发表于 2020-10-9 16:24
看你想做得多细了。
有时候只是作HOMO、LUMO图就可以定性说明一些结论，这时可以用高斯算寡聚物来解决。
...

老师，您说的迁移率和Marcus理论里面的迁移率是一个东西吗

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Author: wzkchem5 时间: 2020-10-9 20:10

刘由牛发表于 2020-10-9 19:00
老师，您说的迁移率和Marcus理论里面的迁移率是一个东西吗

是一个东西，不过如果用ADF的话，可以用比Marcus理论更精确的理论模型来计算迁移率

作者
Author: sobereva 时间: 2020-10-10 00:28

刘由牛发表于 2020-10-9 19:00
老师，如果计算的是寡聚物，可否利用Marcus理论来计算载流子迁移率来说明一些问题

讨论分子间电子转移速率才涉及Marcus理论

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Author: 刘由牛 时间: 2020-10-10 09:24

sobereva 发表于 2020-10-10 00:28
讨论分子间电子转移速率才涉及Marcus理论

老师，有没有分子内转移速率的说法。如果有的话该如何计算

作者
Author: wzkchem5 时间: 2020-10-10 09:54
本帖最后由 wzkchem5 于 2020-10-10 09:57 编辑

刘由牛发表于 2020-10-10 09:24
老师，有没有分子内转移速率的说法。如果有的话该如何计算

转移速率总是有定义的，只不过分子内转移的情形不能（或至少不能直接）用Marcus理论计算。可以用ADF计算电荷转移积分，然后换算成电荷转移速率，可以看一下ADF说明书（虽然ADF是收费的，但ADF的说明书是免费的）。
刚才有另外一个主题帖“利用Gaussian结合自写程序计算分子间电荷转移积分”，有人写了脚本，可以和高斯结合计算电荷转移积分，但不知是否靠谱。

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Author: 喵星大佬 时间: 2020-10-10 10:14

wzkchem5 发表于 2020-10-10 09:54
转移速率总是有定义的，只不过分子内转移的情形不能（或至少不能直接）用Marcus理论计算。可以用ADF计算 ...

看来P大有用ADF的传统啊，文章里经常有，话说大佬最近是快毕业了比较闲嘛

作者
Author: 刘由牛 时间: 2020-10-10 11:04

wzkchem5 发表于 2020-10-10 09:54
转移速率总是有定义的，只不过分子内转移的情形不能（或至少不能直接）用Marcus理论计算。可以用ADF计算 ...

谢谢老师的解答

作者
Author: wzkchem5 时间: 2020-10-10 14:40

喵星大佬发表于 2020-10-10 10:14
看来P大有用ADF的传统啊，文章里经常有，话说大佬最近是快毕业了比较闲嘛

不，我也是只看过说明书，没用过ADF。。。以及没觉得我们这边用ADF多啊

作者
Author: 喵星大佬 时间: 2020-10-10 14:43

wzkchem5 发表于 2020-10-10 14:40
不，我也是只看过说明书，没用过ADF。。。以及没觉得我们这边用ADF多啊

之前看到席老师的各种奇葩配合物里面用到，可能恰好看过几个emmmm有点偏差。

作者
Author: wzkchem5 时间: 2020-10-10 14:47

喵星大佬发表于 2020-10-10 14:43
之前看到席老师的各种奇葩配合物里面用到，可能恰好看过几个emmmm有点偏差。

那应该是个例，整个学院平均而言还是以高斯、vasp为主，其次是orca

作者
Author: sobereva 时间: 2020-10-13 06:47

刘由牛发表于 2020-10-10 09:24
老师，有没有分子内转移速率的说法。如果有的话该如何计算

可以用tranSIESTA、ALACANT、QuantumATK、Nanodcal、OpenMX、DFTB+、GAPW、NanoTCAD ViDES、Dmol3、ADF、BAND基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF-DFT）做输运计算。用里面的免费的就够了，没必要花钱

作者
Author: 刘由牛 时间: 2020-11-13 11:33

sobereva 发表于 2020-10-13 06:47
可以用tranSIESTA、ALACANT、QuantumATK、Nanodcal、OpenMX、DFTB+、GAPW、NanoTCAD ViDES、Dmol3、ADF、 ...

老师，我有个问题想问您。高分子材料的击穿电压一般在10的7或者8次方V/m左右,而如果我们计算所加的电场0.01a.u.大约是10的9次方，远高于材料的击穿电压。这样加电场还有意义吗？

作者
Author: wzkchem5 时间: 2020-11-13 14:46

刘由牛发表于 2020-11-13 11:33
老师，我有个问题想问您。高分子材料的击穿电压一般在10的7或者8次方V/m左右,而如果我们计算所加的电场0. ...

应该问题不大，计算只取非常薄的一段材料（纳米量级），当材料很薄的时候，就没那么容易击穿了。
可以这么想，你沉积一个单分子层的材料在STM基底上，STM针尖离基底1nm，加1V电压，肯定不至于击穿对不对，但是场强已经到10^9 V/m了。

作者
Author: 刘由牛 时间: 2020-11-13 16:06

wzkchem5 发表于 2020-11-13 14:46
应该问题不大，计算只取非常薄的一段材料（纳米量级），当材料很薄的时候，就没那么容易击穿了。
可以这 ...

太感谢老师了，这个问题困扰了我很久。

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