sobereva 发表于 2025-12-16 04:36 好的,谢谢老师 |
Dreamer1 发表于 2025-12-16 01:30 有可能是。这只能作为一个粗略的参考,具体和反应机理关系很大 |
sobereva 发表于 2025-12-15 01:04 非常感谢卢老师的指导! 老师,我计算了上述图片中的分子的ALIE并从图中发现,出现了几乎相同的结果,ALIE最小值的点都是在N附近,这是不是表明失电子氧化反应比较容易发生在N原子链接的键上? |
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靠HOMO判断的做法非常粗糙,看 正确地认识分子的能隙(gap)、HOMO和LUMO http://sobereva.com/543(http://bbs.keinsci.com/thread-16758-1-1.html) 体系很小,算势垒很容易,建议拿势垒说事 参考类似体系、机理的文献估计反应机理 估计容易失电子的位置可以用Multiwfn算福井函数f-、ALIE等,参考 使用Multiwfn超级方便地计算出概念密度泛函理论中定义的各种量 http://sobereva.com/484(http://bbs.keinsci.com/thread-13328-1-1.html) 静电势与平均局部离子化能相关资料合集 http://bbs.keinsci.com/thread-219-1-1.html 使用Multiwfn和VMD绘制平均局部离子化能(ALIE)着色的分子表面图(含视频演示) http://sobereva.com/514(http://bbs.keinsci.com/thread-14632-1-1.html) |
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