MS计算半导体晶面能带结构，态密度结果显示出导体特性

linyi

用MS计算半导体晶面能带结构，态密度结果显示出导体特性（该结果有悖于已发论文数据），请教MS计算时在什么地方设置出错了？谢谢！

yiranfengbai

磁性spin设置和LDA+U

卡开发发

如果bulk做出来不是0 gap，那么就不是导体，如果这个结果也有悖于已发表论文，那么有可能是理论方法的问题。表面的情况是因为有表面态贡献，原则上从PDOS也可能看出来，一般不会拿表面态来说导电的事情，能够提供的载流子数目太少了。

linyi

卡开发发 发表于 2019-6-13 00:34
如果bulk做出来不是0 gap，那么就不是导体，如果这个结果也有悖于已发表论文，那么有可能是理论方法的问题 ...

bulk算出来的结果与实验值相当，用hse06做的计算，晶面带结构也用同样方法计算，结果出来就是导体特性，很是疑惑，不知是否有招解决掉该问题？

linyi

yiranfengbai 发表于 2019-6-12 17:36
磁性spin设置和LDA+U

算bulk的时候，当时没有考虑spin和LDA+U，但是算出band gap数值与实验值非常接近，如果算表面的时候加上LDA+U和spin这个影响有多大，我再试试，谢谢

卡开发发

linyi 发表于 2019-6-13 07:10
bulk算出来的结果与实验值相当，用hse06做的计算，晶面带结构也用同样方法计算，结果出来就是导体特性， ...

HSE都算不到理想结果的体系最好不要指望DFT+U，得从体系本身找原因，我认为这种应该最有可能就是表面态引起的。这样也只好看看用H之类的把表面钝化一下来消除表面态。如果表面结构的gap对你的研究不重要，那么不做处理比较合适。

granvia

卡开发发 发表于 2019-6-13 09:34
HSE都算不到理想结果的体系最好不要指望DFT+U，得从体系本身找原因，我认为这种应该最有可能就是表面态引 ...

从实验角度考虑，没有证据表明表面被H钝化吧？表面重构倒是更有可能。一切都该以实验结构为标准啊。另外，HSE并不意味着一定是self-interaction free的吧？ 个人看法

卡开发发

granvia 发表于 2019-6-13 12:16
从实验角度考虑，没有证据表明表面被H钝化吧？表面重构倒是更有可能。一切都该以实验结构为标准啊。另外 ...

这点我同意，只是说要消除表面态不得已的手段而已，实际体系这种表面态肯定是存在的，所以上面已经说了，不强调gap的问题不作处理比较合适。至于HSE不是self-interaction free，但从测试的情况看大部分情况都还行。

jiewei

别纠结了，你计算的问题没有错，作图的时候散色的问题。
Phys. Chem. Chem. Phys., 2015, 17, 4919--4925

linyi

卡开发发 发表于 2019-6-13 09:34
HSE都算不到理想结果的体系最好不要指望DFT+U，得从体系本身找原因，我认为这种应该最有可能就是表面态引 ...

这两天用DFT+U跑了一下，结果确实如你说的，没有什么效果，后期我再看看，估计还是我计算的时候某些地方没设置好，毕竟发表的一些文章相关晶面banggap计算也有个2.2到2.3eV之间，后期再来请教

linyi

yiranfengbai 发表于 2019-6-12 17:36
磁性spin设置和LDA+U

调整了相关的参数，效果不明显，后续再做尝试，谢谢

zhouxiao0701

jiewei 发表于 2019-6-13 16:18
别纠结了，你计算的问题没有错，作图的时候散色的问题。
Phys. Chem. Chem. Phys., 2015, 17, 4919--4925

那老师，应该怎么解决呢？

leeru

你切完表面后做结构优化了吗？