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本帖最后由 Eudaimonia 于 2021-12-28 21:06 编辑
各位老师好,我使用cp2k优化Ni(OH)2表面,参考卡开发发老师的回答进行计算 [综合讨论] 新手刚开始做固体表面吸附,应该怎么样入手呢1.先对下载得到的Ni(OH)2单胞进行了结构优化,使用了5x5x1的k点(现在回顾此处有问题,应使用5x5x5或者类似的k 点更为恰当),其他参数均为Multiwfn生成cp2k输入文件的默认参数,成功收敛;
2.取出优化好的结构,在切(001)面,模型有两层Ni(OH)2,构建10Å的真空层,使用5x5x1的k点再次进行优化,成功收敛;
3.由于吸附的分子较大,对优化好的(001)表面进行括胞,使用3x3x1的超晶胞进行计算,k点设置为2x2x1,发现SCF在0.9左右的水平上反复震荡,无法收敛(大致循环了80次左右就手动停止了);之后尝试了设置Ni磁矩为3,整体自旋为7再次进行优化,仍然震荡;增加Cutoff至550eV也不行;
4.尝试将Diag方法更换为OT方法进行计算,SCF可以收敛但是下降速度极其缓慢,打算先粗略进行优化,将SCF收敛限降低至10E-4,几何优化收敛;
6.放置吸附分子至真空层发现真空取的太小,吸附分子距离顶端距离大致为3Å,将晶胞Z轴增加5Å以构建更大的真空层(此处直接修改cif文件中的cell的c坐标,也重新切面构建过,结果基本一致),重新优化发现几何优化又无法收敛;
7.删去一层Ni(OH)2后再次优化,几何优化收敛;
此时学生非常迷茫,有以下几个问题:
1.很多帖子都表明,OT算法不适用于小晶胞,此处我的模型晶胞大小为12.6x12.6x18.5,感觉仍然是小晶胞,不确定使用OT算法得到的结果是否合理?
2.之前使用Diag方法进行计算时SCF反复震荡是否还有其他方法可以解决,感觉Diag+K点应该更为合适?
3.晶胞Z轴大小和几何优化是否有关系?
4.对于Ni(OH)2这样的结构,单层Ni(OH)2可以用于后续吸附计算吗?
5.卡卡开发老师之前提到,如果使用优化好的带切面的晶胞,理论来说扩胞后几何优化直接收敛,但是学生目前手头的一些结构,每一次扩胞后仍然需要多次(一般>20)几何优化才能够成功收敛,这样的情况是正常的吗?
感谢各位老师的回答!
由于实际操作时删去了很多中间得到的数据文件,暂时无法上传全部的输入输出文件,不好意思!
2021.12.26 UpDate
根据卡开发发老师的建议,重新对Ni猜测磁矩为3,增加了Smear进行了单胞及001切面的优化,还是可以正常完成。441晶面仍然在初始SCF计算时震荡,221、551、552的k点都进行了尝试,均震荡,相,请问老师还有什么可以进行的尝试? undefined
Note:k点设置为552的文件不小心被覆盖,进行了约60步的SCF计算,震荡,实际电脑不太算的动这个等级的k点
目前打算更改一下超胞大小再进行尝试
2021.12.28 UpDate
根据卡开发发老师的进一步指点,该体系为反铁磁性(AFM)体系,模型中Ni原子的磁矩设定应为一层+3,一层-3,且可以打开对称性以节省kpoint;
同时对此进行更改以后SCF成功收敛,但是后续还是会输出一些警告,但是不影响计算结果的输出,有兴趣的老师可以移步至后续楼层进行讨论
再次感谢各位老师的帮助
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NiH2O2.inp
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12.25上传,未猜测磁矩
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NiH2O2-001.inp
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12.25上传,未猜测磁矩
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NiH2O2-001-441SingleLayer.inp
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12.25上传
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原始结构-NiH2O2.cif
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NiH2O2-001-441-221k.inp
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12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-001-441-221k.out
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12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-001-441-551k.inp
12.29 KB, 下载次数 Times of downloads: 21
12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-001-441-551k.out
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12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-001-Mag.inp
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12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-001-Mag.out
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12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-CellOpt-Mag.inp
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12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-Mag.inp
4.22 KB, 下载次数 Times of downloads: 45
12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-Mag.out
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12.26上传,Ni磁矩设置为3
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NiH2O2-CellOpt-Mag-1.cif
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晶胞优化中途产生的结构文件
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