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[综合讨论] 新手刚开始做固体表面吸附,应该怎么样入手呢?

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      新手刚开始做固体表面吸附,应该怎么样入手,应该先算些什么东西呢?

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发表于 Post on 2025-5-21 09:13:50 | 只看该作者 Only view this author
一条君 发表于 2025-5-21 00:17
老师,请问【要先优化固体(可以采用程序自带的变胞优化】和后面的【(1)优化晶格过程一般变胞优化可能不 ...

后面的意思就是优化晶胞其实应当慎重进行,如果精度不充分直接进行变胞优化可能是靠不住的,下面同时提及到该进行的一些测试。fitting EOS的办法基本上只需要能量,问题会少点但局限性很大。

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发表于 Post on 2025-5-21 00:17:29 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2015-7-13 04:18
大体来看涉及到如下步骤:
(1)要先优化固体(可以采用程序自带的变胞优化或是拟合晶体状态方程),得到该 ...

老师,请问【要先优化固体(可以采用程序自带的变胞优化】和后面的【(1)优化晶格过程一般变胞优化可能不太靠谱】,这两句没太看懂,是适用情形有区别吗,谢谢
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发表于 Post on 2023-2-16 16:49:02 | 只看该作者 Only view this author
lc00 发表于 2015-8-22 20:31
我查找了很多书籍,发现一本书上讲优化晶胞有两种方法。我们平时VASP优化是用的哪一种呢?

请问lc00,附图是出自哪本书呢?

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发表于 Post on 2022-11-16 21:42:41 | 只看该作者 Only view this author
123wy 发表于 2022-11-16 20:03
好的  超级感谢
想再请问一下  如果说我要再WC的某一晶面上做VC的吸附  通过分析它的附着能   ...

晶体生长可能没有只算个吸附这么简单吧,这块我不大了解,建议看下文献。
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发表于 Post on 2022-11-16 20:03:08 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2022-11-16 19:51
一部分因素通过实验表征,然后再是其他实验解决不了的只能逐步猜测。

好的  超级感谢
想再请问一下  如果说我要再WC的某一晶面上做VC的吸附  通过分析它的附着能   能得到VC对晶体生长速率一直到而这个结果吗   还是说需要比对好几个晶面的而结果才行呢

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发表于 Post on 2022-11-16 19:51:13 | 只看该作者 Only view this author
123wy 发表于 2022-11-16 19:08
好的 感谢您的回复  
但是应该怎么去看以何种方式结合呢  因为我并未找到相关的文献  大多都是固液固气 ...

一部分因素通过实验表征,然后再是其他实验解决不了的只能逐步猜测。
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发表于 Post on 2022-11-16 19:08:01 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2022-11-16 16:59
做肯定能做,但是得看两个固相部分是何种方式结合,可能一个是团簇一个是表面,或者两个都是表面,模型细 ...

好的 感谢您的回复  
但是应该怎么去看以何种方式结合呢  因为我并未找到相关的文献  大多都是固液固气结合的
我想做的碳化钒加入碳化钨  它俩在实际实验里都是以粉末的形式存在的  或许他们在material studio里面都是以表面相结合的?

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发表于 Post on 2022-11-16 16:59:04 | 只看该作者 Only view this author
123wy 发表于 2022-11-16 16:03
请问一下固体与固体之间的表面吸附能做吗  就像VC和WC  碳化钒是作为抑制剂作用吸附在碳化钨晶体上的

做肯定能做,但是得看两个固相部分是何种方式结合,可能一个是团簇一个是表面,或者两个都是表面,模型细节上肯定会不一样。
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发表于 Post on 2022-11-16 16:03:16 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2015-7-13 04:18
大体来看涉及到如下步骤:
(1)要先优化固体(可以采用程序自带的变胞优化或是拟合晶体状态方程),得到该 ...

请问一下固体与固体之间的表面吸附能做吗  就像VC和WC  碳化钒是作为抑制剂作用吸附在碳化钨晶体上的  

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发表于 Post on 2022-11-16 16:00:23 | 只看该作者 Only view this author
请问您做的固体吸附是 固体和固体之间的吗

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发表于 Post on 2022-10-22 15:58:01 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 lyf1223 于 2022-10-22 15:59 编辑
jiewei 发表于 2015-7-13 16:09
已经很详细了,不过这几步。不过切面,具体切哪个面是重点。二,吸附,物理还是化学吸附需要根据你的课题 ...

jiewei老师你好,请问切面如何进行选择,比如我做的双钙钛矿体系吸附能研究,(001)面是公认的稳定表面,那我是不是可以先选择从这个晶面入手呢?但是从这个晶面入手的话,无法暴露出我在这个体系里面掺杂的过渡金属原子,对于吸附能的研究有影响吗

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发表于 Post on 2021-8-4 09:32:44 | 只看该作者 Only view this author
丁越 发表于 2021-8-4 09:25
好的,谢谢老师解答

这相当于是C方向的Poisson还是按照PBC来处理的Poisson方程(比如类似于VASP那样),所以其实只要能正常收敛且真空层足够大(体系能量随真空能收敛到定值),一般来说无所谓。
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发表于 Post on 2021-8-4 09:25:19 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2021-8-4 09:23
构型优化能收敛问题应该不大。

好的,谢谢老师解答
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发表于 Post on 2021-8-4 09:23:35 | 只看该作者 Only view this author
丁越 发表于 2021-8-4 09:08
老师,我之前是这样设置的(&PERIODIC XY,&POSSION XY,  PSOLVER ANALYTIC)。但是第一步SCF WAVEFUNCTI ...

构型优化能收敛问题应该不大。
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发表于 Post on 2021-8-4 09:08:26 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2021-8-4 08:46
&POISSON这里也都换成xy试试呢?

老师,我之前是这样设置的(&PERIODIC XY,&POSSION XY,  PSOLVER ANALYTIC)。但是第一步SCF WAVEFUNCTION OPTIMAZATION 结束后就会报streee tensor was not test for 2D system的错误,计算终止。
然而,我用上面我设置的inp文件,计算完没有任何问题,真空层厚度方向Z长度也是固定的,虽然这样是算完了,但是我不确定这样的设置是否正确。老师您看我的输出文件。

CuFe.out

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