VASP和Multiwfn做Hirshfeld charges计算结果不一样是为什么呢

mingfan · 发表于 Post on 2020-3-26 13:03:48

如题，计算的是Multiwfn说明书里的例子ClF3，但是我算的是Cl4F12,扩了四倍，是不是这个原因呢，这个结果合理吗？附上了我的自洽INCAR

402104120002 · 发表于 Post on 2022-6-21 22:22:02

您好，问一下，你这个计算hirshfeld charge。不需要先结构优化，然后再进行自洽计算的吗？还有我想问一下，计算hirshfeld charge用VASP 4.6的版本可以做这个计算吗

sobereva · 发表于 Post on 2021-8-1 05:50:20

xxzj 发表于 2021-7-30 20:45
老师，我想请问一下，计算Hirshfeld charges和静电势有什么区别，二者可以进行结合分析吗，通过Hirshfeld ...

Hirshfeld charge是原子电荷，每个原子一个数值
静电势是三维实空间函数，三维空间每个点一个数值

Hirshfeld charge用于考察原子带净电荷的情况，静电势能一定程度反映当前体系与其它物质的静电相互作用情况，各有各的用处
相关基本知识看
静电势与平均局部离子化能相关资料合集 http://bbs.keinsci.com/thread-219-1-1.html
原子电荷计算方法的对比 http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract27818.shtml

xxzj · 发表于 Post on 2021-7-30 20:45:57

sobereva 发表于 2020-3-26 16:39
差别看Multiwfn手册3.9.13 Hirshfeld-I atomic charge一节，写得非常清楚

如果你用VASP算的是晶体的情 ...

老师，我想请问一下，计算Hirshfeld charges和静电势有什么区别，二者可以进行结合分析吗，通过Hirshfeld charges得到具体的数值，然后ESP通过图展现？

mingfan · 发表于 Post on 2021-3-14 13:32:09

竹影曳88 发表于 2020-10-13 20:40
你好，请问用VASP计算Hirshfeld电荷需要在INCAR中怎样设置？我尝试了IVDW = 21或22及LVDW打开还是不打开的 ...

不好意思才看到，我就是在INCAR里加了IVDW=21，在OUTCAR里就有结果了，搜索关键词Hirshfeld就出现了

竹影曳88 · 发表于 Post on 2020-10-13 20:40:07

你好，请问用VASP计算Hirshfeld电荷需要在INCAR中怎样设置？我尝试了IVDW = 21或22及LVDW打开还是不打开的不同情况，得到的OUTCAR中都没有Hirshfeld电荷的相关信息。你能告诉我INCAR具体要怎么设置吗

卡开发发 · 发表于 Post on 2020-3-28 15:17:07

本帖最后由卡开发发于 2020-3-28 15:20 编辑

xp47 发表于 2020-3-28 12:05
不是对于体系是否电中性的，应该是体系中是否存在强极性。如果体系没有极性（比如统一的原子类型如石墨烯 ...

也和这个没关系，其实是看INCAR中VDW_REFSTATE是怎么设置，如果默认啥都不设置就是0.
然后后面：
if (sum*(refstate**2)>0) then lionic=t。

xp47 · 发表于 Post on 2020-3-28 12:05:09

卡开发发发表于 2020-3-27 23:34
代码看了，主要还是LIONIC这里的差异，如果体系是电中性的，几乎是没差异的（weight_charge vs hirshfeld ...

不是对于体系是否电中性的，应该是体系中是否存在强极性。如果体系没有极性（比如统一的原子类型如石墨烯）就没啥差别。如果不同，特别是比如金属氧化物差别就很大。IVDW=4的方案使用的是iter Hirshfeld_domain（和22/21之类的方案不一样虽然都是HI）。他们的第一部等价于20/2（即您说的wc的部分）。

卡开发发 · 发表于 Post on 2020-3-27 23:34:29

本帖最后由卡开发发于 2020-3-28 00:25 编辑

xp47 发表于 2020-3-27 21:53
可能您不了解VASP中的IVDW=22或21中的HIRSHFELD部分或者周期性体系的HIRSHFELD方案，建议您看下之前周期 ...

代码看了，主要还是LIONIC这里的差异，如果体系是电中性的，几乎是没差异的（weight_charge vs hirshfeld_iterative，如果我没漏看代码的话，然后您可以看下2230格式都在哪个位置出现）。而传统的Hirshfeld不做非电中性的区分，您要不看看Multiwfn手册上Hirshfeld定义是怎样的？

xp47 · 发表于 Post on 2020-3-27 21:57:29

mingfan 发表于 2020-3-27 21:55
谢谢回复！我已经在z方向加了真空层

精确来说Z方向的真空层需要大于 H方案的cutoff。不改变cutoff的情况下可以手动停止Z方向的Periodical

mingfan · 发表于 Post on 2020-3-27 21:55:38

xp47 发表于 2020-3-27 21:31
此处如果是二维材料，强烈建议在做计算是手动停掉这部分Z方向的周期性。

谢谢回复！我已经在z方向加了真空层

xp47 · 发表于 Post on 2020-3-27 21:53:08

本帖最后由 xp47 于 2020-3-27 22:20 编辑

卡开发发发表于 2020-3-27 21:45
对标准的Hirshfeld布居，就是做到使用自由原子密度来划分空间，并不需要后续过程。LZ给出的问题是对比Mul ...

可能您不了解VASP中的IVDW=22或21中的HIRSHFELD部分或者周期性体系的HIRSHFELD方案，建议您看下之前周期性HIRSHFELD，VASP的代码。在VASP中，2/20是hirshfeld_domxxx，在这个部分，会detect 以下ionic状态等等.... 21/22等用的是hirschfeldxxxx。背后是为了更好的接近CDDs。

卡开发发 · 发表于 Post on 2020-3-27 21:45:05

本帖最后由卡开发发于 2020-3-27 21:49 编辑

xp47 发表于 2020-3-27 21:26
22是没有采用任何补偿的方案。如同23 24 25 26和3 4 5等都没有在手册里。所以22也叫HI-TS-FO，21只是HI-T ...

对标准的Hirshfeld布居，就是做到使用自由原子密度来划分空间，并不需要后续过程。LZ给出的问题是对比Multiwfn的例子，而例子中是标准的Hirshfeld布居而非Hirshfeld-I。

xp47 · 发表于 Post on 2020-3-27 21:31:18

mingfan 发表于 2020-3-27 21:15
谢谢，现在我开始计算我的系统了，已经测试例子完毕，所以想问应该读哪个呢？

此处如果是二维材料，强烈建议在做计算是手动停掉这部分Z方向的周期性。

xp47 · 发表于 Post on 2020-3-27 21:26:21

本帖最后由 xp47 于 2020-3-27 21:33 编辑

mingfan 发表于 2020-3-27 21:00
老师您好！再请教一下，IVDW=22我没有在VASP的手册里看到呢，那么如果我设置IVDW=21是应该看Hirshfeld ch ...

22是没有采用任何补偿的方案。如同23 24 25 26和3 4 5等都没有在手册里。所以22也叫HI-TS-FO，21只是HI-TS。两者都不要看Hirshfeld的部分，这部分是不对的，缺少了很多部分（参考前面的留言）。对比Hirshfeld那么采用2/20 或者22/21的第一步H-I （LFirst=.True.时）。同时2/20考虑下要不要SCS

卡开发发 · 发表于 Post on 2020-3-27 21:20:35

本帖最后由卡开发发于 2020-3-27 21:56 编辑

mingfan 发表于 2020-3-27 21:15
谢谢，现在我开始计算我的系统了，已经测试例子完毕，所以想问应该读哪个呢？

你如果要得到Hirshfeld电荷，那就应该读取Hirshfeld电荷的结果；如果是要读取Hirshfeld-I，那应该读取Hirshfeld-I的。这两种电荷在定义和实际做法是有些许差异的。如果你的问题是，为啥同样做标准的Hirshfeld布居，VASP的结果和Multiwfn的例子有所不同，我的答复是：
1、可能是泛函不同，你很可能用的是PBE（我看不到你全部的INCAR），而例子的wfn用的是B3LYP；
2、基组方面有差异，例子用的是6-31G*而VASP用的是平面波+PAW。
如果你问，Hirshfeld或Hirshfeld-I哪个更好，那肯定是Hirshfeld-I好点，不过也就那样。

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