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[Gaussian/gview] 簇模型周围的点电荷如何实现?

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发表于 2019-4-15 16:34:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
RT,希望能在Gaussian03中计算簇模型的表面吸附。考虑以离子键为主的固体适合添加点电荷,所以想尝试在簇模型周围添加点电荷。
看到一篇文献用Gaussian98计算了Ni4O4簇模型表面CO,在Ni4O4团簇周围添加了点电荷,同时点电荷以±2初始值进行单点能测试,计算每次Ni,O的平均电荷,并以每次计算得到的电荷值作为周围点电荷的新值重新计算,直到电荷值与给定的NiO电荷值相差仅为0.0006,最终确定周围点电荷值。
有几个疑问:1,Ni4O4簇的平均电荷值是表面或体相优化得到的吗?2,为什么要对周围点电荷值进行测试,为何不直接使用NiO的电荷值?3,周围点电荷的位置是占据体相或表面中Ni,O的位置吗?Ni位置放正电荷,O位置放负电荷,或者有什么放置规则吗?如果是MnO2簇的话,点电荷位置怎么确定?4,使用GaussView能否实现周围点电荷的设定?5,周围点电荷的方法和ONIOM分层法有什么却别吗?点电荷法可以将点电荷看作低层,簇模型看作高层吗?6,是否有相关文献说明使用这种点电荷法与使用MS平板法的区别吗?

簇模型

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