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[Gaussian/gview] 簇模型周围的点电荷如何实现?

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RT,希望能在Gaussian03中计算簇模型的表面吸附。考虑以离子键为主的固体适合添加点电荷,所以想尝试在簇模型周围添加点电荷。
看到一篇文献用Gaussian98计算了Ni4O4簇模型表面CO,在Ni4O4团簇周围添加了点电荷,同时点电荷以±2初始值进行单点能测试,计算每次Ni,O的平均电荷,并以每次计算得到的电荷值作为周围点电荷的新值重新计算,直到电荷值与给定的NiO电荷值相差仅为0.0006,最终确定周围点电荷值。
有几个疑问:1,Ni4O4簇的平均电荷值是表面或体相优化得到的吗?2,为什么要对周围点电荷值进行测试,为何不直接使用NiO的电荷值?3,周围点电荷的位置是占据体相或表面中Ni,O的位置吗?Ni位置放正电荷,O位置放负电荷,或者有什么放置规则吗?如果是MnO2簇的话,点电荷位置怎么确定?4,使用GaussView能否实现周围点电荷的设定?5,周围点电荷的方法和ONIOM分层法有什么却别吗?点电荷法可以将点电荷看作低层,簇模型看作高层吗?6,是否有相关文献说明使用这种点电荷法与使用MS平板法的区别吗?

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簇模型

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发表于 Post on 2019-7-8 08:28:32 | 只看该作者 Only view this author
1.对优化好的或者你需要的团簇结构做单点计算获得波函数并进行布居分析可以获得原子电荷
2.NiO这种化学计量比形式的化学式表示的±2这种电荷是无机化学表观的电荷分布,在氧化镍晶体中未必,如果离子性不够强就存在一定共价键成分
3.可以占据Ni和O的原子位点,或者参考http://bbs.keinsci.com/thread-2056-1-1.html的讨论
4.可,或者参考http://bbs.keinsci.com/thread-6755-1-1.html的做法
5.我不了解
6.这种使用背景电荷的cluster模型和MS构建周期性的slab模型的区别是显然的,讨论参加http://bbs.keinsci.com/thread-1317-1-1.htmlhttp://bbs.keinsci.com/thread-3485-1-1.html

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