表面吸附问题求指导

卡开发发

一直走 发表于 2016-6-22 21:39
我明白了，如果衬底层数足够的话，上表面的吸附一般不会影响到底层原子，但是如果底层的原子在吸附的过程 ...

是啊，当然，层高充分的情况，固定与否可能不那么重要，层高不充分的情况，就算固定结果也不会好，何况固定会引进一些非物理因素进来，慎重使用为妙。

yuenanshuyao

卡开发发 发表于 2016-6-22 18:52
表面不稳定就会产生表面重构，你却把下表面进行固定，来维持未弛豫的状态，这样的做法并不合理。不应该是 ...

我也试图把层数加多一些，但是原子数太多学校的计算机算不动，S在上的时候还没开始算就停止了，k点Gamma 3*3*1

卡开发发

yuenanshuyao 发表于 2016-6-23 16:56
我也试图把层数加多一些，但是原子数太多学校的计算机算不动，S在上的时候还没开始算就停止了，k点Gamma  ...

你没明白我的意思，你的重构是因为你找了个不稳定的面，而不是层高不够导致的。

我可能没说清楚，建议你把当时计算S朝上的表面计算的结果打包来看看，停止必然是有原因的，来找找这个原因。

yuenanshuyao

卡开发发 发表于 2016-6-23 20:33
你没明白我的意思，你的重构是因为你找了个不稳定的面，而不是层高不够导致的。

我可能没说清楚，建议 ...

我又重新建模在算，S朝上3层原子层，跑到中间会停，出现的错误是Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Returncode =  64 472（后面的数字有时候不一样）
麻烦老师帮我看看是什么问题吧？

卡开发发

yuenanshuyao 发表于 2016-6-26 14:09
我又重新建模在算，S朝上3层原子层，跑到中间会停，出现的错误是Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Re ...

最底下那一排单独的S原子是怎么来的？还有，分子放得离表面太近了，即便不出问题，弛豫也要花很长时间。

yuenanshuyao

卡开发发 发表于 2016-6-26 14:35
最底下那一排单独的S原子是怎么来的？还有，分子放得离表面太近了，即便不出问题，弛豫也要花很长时间。

建好模型就是这样，它是周期性结构，所以底下那层应该是和顶部那层一样的吧，老师看看我贴出来的输出文件，Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Returncode =  64 472这种错误是什么原因呢?

卡开发发

yuenanshuyao 发表于 2016-6-26 14:59
建好模型就是这样，它是周期性结构，所以底下那层应该是和顶部那层一样的吧，老师看看我贴出来的输出文件 ...

不对，这里这个单层的S是独立的，显然不合理。还有，分子不要放太近。按我说的试一下，看看是否仍然存在问题。若仍然出现EDDDACV的问题，再换成ALGO=V或者F不迟。

yuenanshuyao

卡开发发 发表于 2016-6-26 15:03
不对，这里这个单层的S是独立的，显然不合理。还有，分子不要放太近。按我说的试一下，看看是否仍然存在 ...

好的，谢谢老师指导，我这样试试看行不行，现在的体系没什么问题吧？

卡开发发

yuenanshuyao 发表于 2016-6-26 15:33
好的，谢谢老师指导，我这样试试看行不行，现在的体系没什么问题吧？

如果分子物理吸附的话，最好放在2~3A左右比较好。

一直走

卡开发发 发表于 2016-6-26 16:02
如果分子物理吸附的话，最好放在2~3A左右比较好。

老师，我在做Cu团簇在SiO2（111）表面吸附的时候，算出来的Mulliken电荷，Cu都是负值，但是，按道理来说Cu应该是正值呀，不知道这是什么原因呢？

卡开发发

一直走 发表于 2016-7-10 20:20
老师，我在做Cu团簇在SiO2（111）表面吸附的时候，算出来的Mulliken电荷，Cu都是负值，但是，按道理来说C ...

看看电荷密度差和形变电荷密度，看看趋势是否一致。