如何利用GAUSSIAN进行简单的电荷分析

Argonaut

前段时间利用Gaussian研究了一些基团（OH\O\H自由基）攻击乙烯、乙炔的反应路径的速率常数，然后审稿人评论如下：“摘要和正文中多次提到部分反应是通过基团进攻实现，该结论可能缺乏作证，全文中并未发现相关数据和论证来表明反应是通过基团进攻实现的，应进行适当的电荷分析进行佐证。”
这里想问一下，这个电荷分析是什么....有没有什么简单的验证方法，因为本人并非是化学相关专业的学生，所以有点懵，希望各位大佬能教教我 ORZ

sobereva

有很多方法都能预测和解释反应位点，仔细看
1 亲电取代反应中活性位点预测方法的比较（http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract28694.shtml）、Comparative study on the methods for predicting the reactive site of nucleophilic reaction（https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs11426-015-5494-7）
2 幻灯片：Predicting reactive sites（http://sobereva.com/234）
3 Multiwfn手册4.A.4节对各种Multiwfn支持的反应位点预测方法的总结
4 概念密度泛函综述和重要文献合集：http://bbs.keinsci.com/thread-384-1-1.html
5 使用Multiwfn超级方便地计算出概念密度泛函理论中定义的各种量
http://sobereva.com/484（http://bbs.keinsci.com/thread-13328-1-1.html）
6 通过轨道权重福井函数和轨道权重双描述符预测亲核和亲电反应位点
http://sobereva.com/533
7 TCA上的一篇对比不同原子电荷预测反应位点、亲电/亲核性的文章（http://bbs.keinsci.com/thread-15512-1-1.html）

这些分析都可以通过Multiwfn（http://sobereva.com/multiwfn）实现
这些方法中和电荷分布关系最直接的预测方法是Hirshfeld电荷以及分子表面静电势，上文都说了。Hirshfeld电荷的计算看Multiwfn手册4.7.2节的例子，表面静电势分析看下文，都可以用Gaussian计算得到的fch文件当输入文件
使用Multiwfn的定量分子表面分析功能预测反应位点、分析分子间相互作用
http://sobereva.com/159

但对于你列出的具体反应，不建议拘泥于基于电荷分布的分析上，相对来说更建议优先考虑用平均局部离子化能（ALIE）讨论，怎么分析上文也提了

Argonaut

好的，谢谢sob老师！！