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楼主 Author: 一直走
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[综合讨论] 表面吸附问题求指导

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发表于 Post on 2016-5-19 10:37:39 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-5-18 21:31
好的,我建的是12埃的真空层,我觉得离得应该足够远了,谢谢老师~

      如果是小分子的话,12—15埃的真空层,应该足够了。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-5-19 20:12:02 | 只看该作者 Only view this author
liu_tiao 发表于 2016-5-19 10:37
如果是小分子的话,12—15埃的真空层,应该足够了。

恩,是小分子,还想请问一个问题,我们正常切的面基本都是(h k l)面,但如果是六方晶系,想切(h k i l)面,是直接把“i”去掉转换成为(h k l)吗,还有用其它方法?

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发表于 Post on 2016-5-19 22:11:52 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-5-19 20:12
恩,是小分子,还想请问一个问题,我们正常切的面基本都是(h k l)面,但如果是六方晶系,想切(h k i l) ...

i=-(h+k),知道哪些是等价的晶面然后选取相应等价的晶面就行了。

真空区域大小的选择我觉得还是看程序,如果是局域基组的话真空大小对计算量影响不大,尽可能取充分就行;平面波的话有条件就测试一下,偶极修正原则上得考虑,如果真的做真空大小测试的话,极性表面的能量可能根本收敛不了。12A个人觉得偏小,虽然有文献确实这么干了,如果计算资源不充分,15~20A还是要的。

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发表于 Post on 2016-5-19 22:17:56 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-5-19 22:11
i=-(h+k),知道哪些是等价的晶面然后选取相应等价的晶面就行了。

真空区域大小的选择我觉得还是看程序 ...

   哦哦。六方晶系,有的时候文献用三指数,有的时候用四指数,虽然看起来模型相同,但是叫法不一样。原来才是这样的所。学习了~

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发表于 Post on 2016-5-19 22:21:01 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-5-19 22:11
i=-(h+k),知道哪些是等价的晶面然后选取相应等价的晶面就行了。

真空区域大小的选择我觉得还是看程序 ...

     打开POSCAR或者CONTCAR,都是一些零散的原子。程序怎么来判断他们之间如何成键的呢,这个问题我一直没有弄明白。

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发表于 Post on 2016-5-19 22:49:30 | 只看该作者 Only view this author
liu_tiao 发表于 2016-5-19 22:21
打开POSCAR或者CONTCAR,都是一些零散的原子。程序怎么来判断他们之间如何成键的呢,这个问题我一直 ...

对于结构文件原子连接方式很多显示的程序能够自动判断吧,一般也就根据键长键角的范围和原子配位数这些经验的。

如果你需要严格了解原子之间的化学键,可能就需要波函数分析了。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-5-20 10:47:40 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-5-19 22:11
i=-(h+k),知道哪些是等价的晶面然后选取相应等价的晶面就行了。

真空区域大小的选择我觉得还是看程序 ...

好的,请问老师,如果我想切ZnO(0001)晶面,是否可以切出(001)面等价它呢?

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发表于 Post on 2016-5-20 12:10:29 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-5-20 10:47
好的,请问老师,如果我想切ZnO(0001)晶面,是否可以切出(001)面等价它呢?

(0 0 1)就行
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-5-20 12:21:07 | 只看该作者 Only view this author

好的,谢谢老师~

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-5-21 16:13:35 | 只看该作者 Only view this author

还想请教老师,在用Dmol3计算时,什么时候需要选“Spin unrestricted"选项?不知道我计算晶面时的报错会不会与它有关,单纯的优化晶面都报错不收敛了,我觉得不科学呀~

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发表于 Post on 2016-5-21 16:20:36 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-5-21 16:13
还想请教老师,在用Dmol3计算时,什么时候需要选“Spin unrestricted"选项?不知道我计算晶面时的报错会不 ...

一般明显的闭壳层(无磁性)结构才使用Spin restricted,其余只要结构是磁性结构,都应该Spin unrestricted,并且尽可能让初始猜测的磁矩接近于真实情况。

你要是算Cu (1 1 1)表面的话Spin restricted就行,吸附的分子如果不是开壳层的形式,整个体系很大可能性Spin restricted就行。

我不知道你指的难收敛是哪种,SCF还是OPT?

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-5-21 16:31:24 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 一直走 于 2016-5-21 17:08 编辑
卡开发发 发表于 2016-5-21 16:20
一般明显的闭壳层(无磁性)结构才使用Spin restricted,其余只要结构是磁性结构,都应该Spin unrestrict ...

算的是SiO2(111)面,吸附的是Cu,报的错是SCF不收敛,所以是只弛豫表面时,用Spin restricted,吸附Cu后,就用Spin unrestricted吗?

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发表于 Post on 2016-5-21 19:14:05 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-5-21 16:31
算的是SiO2(111)面,吸附的是Cu,报的错是SCF不收敛,所以是只弛豫表面时,用Spin restricted,吸附Cu后,就 ...

奇数Cu团簇或是原子在表面的话可能就得考虑Spin unrestricted了,不过这个得具体情况具体分析了。
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-5-21 19:37:22 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-5-21 19:14
奇数Cu团簇或是原子在表面的话可能就得考虑Spin unrestricted了,不过这个得具体情况具体分析了。

好的,太感谢了,以前对自旋一直是迷茫中,现在终于有点方向了~感激不尽~

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发表于 Post on 2016-6-22 10:18:44 | 只看该作者 Only view this author
sobereva 发表于 2016-5-16 17:33
层数和吸附分子大小倒没太直接的关系,一般都是三四层。只不过吸附分子大的话需要较大的晶胞表面积

各位老师大神好,我用vasp做表面吸附,优化完分子会解离,吸附表面的催化剂原子也发生错位啥的,这是什么原因呢?该怎么解决啊

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