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楼主 Author: 一直走
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[综合讨论] 表面吸附问题求指导

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发表于 Post on 2016-6-26 14:09:42 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-6-23 20:33
你没明白我的意思,你的重构是因为你找了个不稳定的面,而不是层高不够导致的。

我可能没说清楚,建议 ...

我又重新建模在算,S朝上3层原子层,跑到中间会停,出现的错误是Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Returncode =  64 472(后面的数字有时候不一样)
麻烦老师帮我看看是什么问题吧?

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发表于 Post on 2016-6-26 14:35:56 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 卡开发发 于 2016-6-26 14:46 编辑
yuenanshuyao 发表于 2016-6-26 14:09
我又重新建模在算,S朝上3层原子层,跑到中间会停,出现的错误是Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Re ...

最底下那一排单独的S原子是怎么来的?还有,分子放得离表面太近了,即便不出问题,弛豫也要花很长时间。
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发表于 Post on 2016-6-26 14:59:23 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-6-26 14:35
最底下那一排单独的S原子是怎么来的?还有,分子放得离表面太近了,即便不出问题,弛豫也要花很长时间。

建好模型就是这样,它是周期性结构,所以底下那层应该是和顶部那层一样的吧,老师看看我贴出来的输出文件,Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Returncode =  64 472这种错误是什么原因呢?

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发表于 Post on 2016-6-26 15:03:17 | 只看该作者 Only view this author
yuenanshuyao 发表于 2016-6-26 14:59
建好模型就是这样,它是周期性结构,所以底下那层应该是和顶部那层一样的吧,老师看看我贴出来的输出文件 ...

不对,这里这个单层的S是独立的,显然不合理。还有,分子不要放太近。按我说的试一下,看看是否仍然存在问题。若仍然出现EDDDACV的问题,再换成ALGO=V或者F不迟。

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发表于 Post on 2016-6-26 15:33:16 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-6-26 15:03
不对,这里这个单层的S是独立的,显然不合理。还有,分子不要放太近。按我说的试一下,看看是否仍然存在 ...

好的,谢谢老师指导,我这样试试看行不行,现在的体系没什么问题吧?

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发表于 Post on 2016-6-26 16:02:37 | 只看该作者 Only view this author
yuenanshuyao 发表于 2016-6-26 15:33
好的,谢谢老师指导,我这样试试看行不行,现在的体系没什么问题吧?

如果分子物理吸附的话,最好放在2~3A左右比较好。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-7-10 20:20:39 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-6-26 16:02
如果分子物理吸附的话,最好放在2~3A左右比较好。

老师,我在做Cu团簇在SiO2(111)表面吸附的时候,算出来的Mulliken电荷,Cu都是负值,但是,按道理来说Cu应该是正值呀,不知道这是什么原因呢?

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发表于 Post on 2016-7-10 20:47:00 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-7-10 20:20
老师,我在做Cu团簇在SiO2(111)表面吸附的时候,算出来的Mulliken电荷,Cu都是负值,但是,按道理来说C ...

看看电荷密度差和形变电荷密度,看看趋势是否一致。
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