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楼主 Author: 一直走
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[综合讨论] 表面吸附问题求指导

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发表于 Post on 2016-6-22 16:45:51 | 只看该作者 Only view this author

RE: 表面吸附问题求指导

这个是另一个算完后的CONTCAR文件,简直乱成一团。。
试过真空层设大或小都会出现这种情况

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发表于 Post on 2016-6-22 16:52:17 | 只看该作者 Only view this author
liu_tiao 发表于 2016-6-22 16:43
正常的MoS2(001)面是楼上那样的。表面全部是S原子,可能不会和碱性氮分子作用,所以吸附无法进行。但是 ...

啊。。原来是这样,那我找找你说的文献看下,这样子的话我这篇文章岂不是不能这么写啦

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-6-22 17:01:13 | 只看该作者 Only view this author
yuenanshuyao 发表于 2016-6-22 16:52
啊。。原来是这样,那我找找你说的文献看下,这样子的话我这篇文章岂不是不能这么写啦

你师姐用一层算出来了?也是吸附?

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发表于 Post on 2016-6-22 17:24:21 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-6-22 17:01
你师姐用一层算出来了?也是吸附?

对呀,所以我觉得不合理呢

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-6-22 17:30:50 | 只看该作者 Only view this author
yuenanshuyao 发表于 2016-6-22 17:24
对呀,所以我觉得不合理呢

你先重复一下你师姐的实验,完全重复,看看到底是哪里有问题~

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发表于 Post on 2016-6-22 17:34:15 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-6-22 17:30
你先重复一下你师姐的实验,完全重复,看看到底是哪里有问题~

嗯嗯,我也找了些文献准备看看,再试试,谢谢你们

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发表于 Post on 2016-6-22 18:52:31 | 只看该作者 Only view this author
yuenanshuyao 发表于 2016-6-22 17:34
嗯嗯,我也找了些文献准备看看,再试试,谢谢你们

表面不稳定就会产生表面重构,你却把下表面进行固定,来维持未弛豫的状态,这样的做法并不合理。不应该是Mo在上面, 否则切出来的表面会表面能相当大,应该是不稳定的,如果真空再小一点,整个吸附的分子确实有可能会被两个表面扯开。

我倒是建议取做S朝上的,如果做不出应该找一下原因,电子步难收敛或是离子步难收敛。个人觉得很大可能性是离子步没收敛,vasp就算电子步没收敛也会算下去,有可能是电子步没首先导致错误的能量变化和力,从而导致离子步难收敛,这样的情况纯表面可能很少出现,但对于吸附体系可能很容易呈现。另外我不知道你是否考虑DFT-D或者vdW-DF。

不妨连INCAR也一块传了。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-6-22 19:52:23 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-6-22 18:52
表面不稳定就会产生表面重构,你却把下表面进行固定,来维持未弛豫的状态,这样的做法并不合理。不应该是 ...

如果在吸附之前,底层未固定时优化一下表面(当然,可能优化不出来,也可能优化完之后结构变化特别大),然后以优化后的表面作为衬底,固定下面几层,上面进行吸附,会不会成功的几率会大点呢?

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发表于 Post on 2016-6-22 20:08:54 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-6-22 19:52
如果在吸附之前,底层未固定时优化一下表面(当然,可能优化不出来,也可能优化完之后结构变化特别大), ...

弄不清固定下表面有啥物理意义,做了固定也维持不了晶体内的那种状态,搞得SCF还很难收敛,根本起不到计算加速的作用,不如不做固定。有不少人认为固定了一部分能加速计算,这是以讹传讹的说法。
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-6-22 20:24:24 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-6-22 20:08
弄不清固定下表面有啥物理意义,做了固定也维持不了晶体内的那种状态,搞得SCF还很难收敛,根本起不到计 ...

固定底层,应该不是为了加速计算吧,而且就算固定了,并不会减少计算量,但是如果不固定,在吸附的过程中,晶格结构就会发生变化,甚至偏离之前的真空层,这样就算正常结束,我们能单纯利用吸附能或者其它判别手段判断是否能吸附吗?毕竟吸附后的衬底与之前的相差可能会很大~

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发表于 Post on 2016-6-22 20:34:38 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-6-22 20:24
固定底层,应该不是为了加速计算吧,而且就算固定了,并不会减少计算量,但是如果不固定,在吸附的过程中 ...
晶格结构就会发生变化,甚至偏离之前的真空层
那只能说明层高未经过测试或者采用的方法不对,层高足够高的情况中心区域会慢慢呈现固体的性质,而该考虑色散修正的场合不考虑也会导致结构发生问题。
我们能单纯利用吸附能或者其它判别手段判断是否能吸附吗

吸附能只是一种热力学上的判断,严格来说考虑自由能才有参考价值。
毕竟吸附后的衬底与之前的相差可能会很大~

吸附之后吸附的分子和表面都有可能重构,这是很正常的。如果上表层的吸附会明显影响到下表层的性质,说明层高还是不充分的。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2016-6-22 21:39:15 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-6-22 20:34
那只能说明层高未经过测试或者采用的方法不对,层高足够高的情况中心区域会慢慢呈现固体的性质,而该考虑 ...

我明白了,如果衬底层数足够的话,上表面的吸附一般不会影响到底层原子,但是如果底层的原子在吸附的过程变化较大,就需要考虑是否为层数不够造成的,这时候最好做个层数测试,但是我看关于吸附的文章,无论衬底层数多少,都会固定1/2到2/3的厚度,貌似也就约定俗成了~非常感谢老师的耐心解答,每次都非常受益~

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发表于 Post on 2016-6-22 21:47:09 | 只看该作者 Only view this author
一直走 发表于 2016-6-22 21:39
我明白了,如果衬底层数足够的话,上表面的吸附一般不会影响到底层原子,但是如果底层的原子在吸附的过程 ...

是啊,当然,层高充分的情况,固定与否可能不那么重要,层高不充分的情况,就算固定结果也不会好,何况固定会引进一些非物理因素进来,慎重使用为妙。
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发表于 Post on 2016-6-23 16:56:54 | 只看该作者 Only view this author

RE: 表面吸附问题求指导

卡开发发 发表于 2016-6-22 18:52
表面不稳定就会产生表面重构,你却把下表面进行固定,来维持未弛豫的状态,这样的做法并不合理。不应该是 ...

我也试图把层数加多一些,但是原子数太多学校的计算机算不动,S在上的时候还没开始算就停止了,k点Gamma 3*3*1

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发表于 Post on 2016-6-23 20:33:03 | 只看该作者 Only view this author
yuenanshuyao 发表于 2016-6-23 16:56
我也试图把层数加多一些,但是原子数太多学校的计算机算不动,S在上的时候还没开始算就停止了,k点Gamma  ...

你没明白我的意思,你的重构是因为你找了个不稳定的面,而不是层高不够导致的。

我可能没说清楚,建议你把当时计算S朝上的表面计算的结果打包来看看,停止必然是有原因的,来找找这个原因。
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